Zobrazeno 1 - 10
of 558
pro vyhledávání: '"Shuto Y"'
Recently spin-transistors receive considerable attention as a highly-functional building block of future integrated circuits. In order to realize spin-transistors, it is essential that technology of efficient spin injection/detection for semiconducto
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0910.5238
A new group-IV ferromagnetic semiconductor, Ge1-xFex, was successfully grown by low-temperature molecular beam epitaxy (LT-MBE) without precipitation of ferromagnetic Ge-Fe intermetallic compounds. The ferromagnetism of Ge1-xFex films was investigate
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0511328
We show that suitably-designed magnetic semiconductor heterostructures consisting of Mn delta-doped GaAs and p-type AlGaAs layers, in which the locally high concentration of magnetic moments of Mn atoms are controllably overlapped with the 2-dimensio
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0503444
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Nakane, R., Shuto, Y., Sukegawa, H., Wen, Z.C., Yamamoto, S., Mitani, S., Tanaka, M., Inomata, K., Sugahara, S.
Publikováno v:
In Solid State Electronics December 2014 102:52-58
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Okuno, J., Kunihiro, T., Konishi, K., Shuto, Y., Sugaya, F., Materano, M., Ali, Tarek Nadi Ismail, Lederer, Maximilian, Kuehnel, Kati, Seidel, Konrad, Mikolajick, T., Schroeder, U., Tsukamoto, M., Umebayashi, T.
We have reported that film thickness scaling of ferroelectric Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 (HZO) allows hafnium-based one- transistor and one-capacitor (1T1C) ferroelectric random-access memory (FeRAM) to obtain higher cycling tolerance for hard breakdown with
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______610::2d0d935ec1c905e933252357b9029f37
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/434478
https://publica.fraunhofer.de/handle/publica/434478
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.