Zobrazeno 1 - 10
of 105
pro vyhledávání: '"Shtrom, I. V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gridchin, V. O., Komarov, S. D., Soshnikov, I. P., Shtrom, I. V., Reznik, R. R., Kryzhanovskaya, N. V., Cirlin, G. E.
Publikováno v:
Journal of Surface Investigation: X-Ray, Synchrotron & Neutron Techniques; Apr2024, Vol. 18 Issue 2, p408-412, 5p
Autor:
Dubrovskii, V. G.1 (AUTHOR) dubrovskii@mail.ioffe.ru, Shtrom, I. V.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Oct2020, Vol. 46 Issue 10, p1008-1011. 4p.
Autor:
Grigorieva, N. R.1 (AUTHOR) n.r.grigorieva@spbu.ru, Shtrom, I. V.1,2 (AUTHOR), Grigoriev, R. V.1 (AUTHOR), Soshnikov, I. P.2,3,4 (AUTHOR), Reznik, R. R.5 (AUTHOR), Samsonenko, Yu. B.2 (AUTHOR), Sibirev, N. V.1,5 (AUTHOR), Cirlin, G. E.3,6 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics Letters. Aug2019, Vol. 45 Issue 8, p835-838. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shtrom, I. V.1,2, Agekyan, V. F.2 v.agekyan@spbu.ru, Serov, A. Yu.2, Filosofov, N. G.2, Akhmadullin, R. R.3, Krizhkov, D. E.4, Karczewski, G.5
Publikováno v:
Semiconductors. Apr2018, Vol. 52 Issue 4, p514-518. 5p.
Autor:
null Cirlin G. E., null Reznik R. R., null Ubyivovk E. V., null Shtrom I. V., null Berdnikov Y, null Sibirev N V
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:28
A model of spontaneous formation of the core-shell structure in (In,Ga)As nanowire grown via molecular beam epitaxy without independent radial growth is proposed. Within the framework of the proposed model, the distribution of In across the axis of t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::00cc932d8904263de846075fdeef2ab9
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.02.52841.18869
https://doi.org/10.21883/tpl.2022.02.52841.18869
Autor:
Shtrom, I. V.1,2 igorstrohm@mail.ru, Kotlyar, K. P.1, Filosofov, N. G.3, Serov, A. Yu.3, Krizhkov, D. I.4, Samsonenko, Yu. B.2, Ilkiev, I. V.1, Reznik, R. R.1,2, Agekyan, V. F.3, Cirlin, G. E.1,2
Publikováno v:
Semiconductors. Dec2018, Vol. 52 Issue 16, p2146-2148. 3p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.