Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Shtang T"'
Autor:
Koubisy, M. S. I., Zatsepin, A. F., Biryukov, D. Yu., Zatsepin, D. A., Shtang, T. V., Gavrilov, N.V.
Publikováno v:
In Journal of Non-Crystalline Solids 1 July 2021 563
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 6/10/2022, Vol. 2466 Issue 1, p1-6, 6p
В пособии представлены основные понятия теории функционала электронной плотности (ФЭП/DFT). Выделены особенности, обеспечивающие широко
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______917::36db215d10e39d10dddbcbd2c889fdb3
https://hdl.handle.net/10995/105679
https://hdl.handle.net/10995/105679
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Koubisy, M. S. I., Zatsepin, A. F., Shtang, T. V., Biryukov, D. Yu., Gavrilov, N. V., Mamonov, A. P.
The photoluminescence of silica glass with implanted Bi ions is investigated by lumines-cence spectrometer PerkinElmer LS 55. The goal of the work was to study the optically active defects arising during the implantation process Bi ions in silica gla
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______917::f6457b26c53f837b0b943f042b77ac44
https://hdl.handle.net/10995/106620
https://hdl.handle.net/10995/106620
Autor:
Galiulina, J. S., Koubisy, M. S. I., Shtang, T. V., Biryukov, D. Yu., Zatsepin, A. F., Gavrilov, N. V., Mamonov, A. P.
Optically transparent SiO2 glasses were implanted in a pulsed mode with 30 keV bismuth ions with different doses. The depth of penetration of ions into the studied SiO2 samples was estimated using the SRIM software package. Optical absorption spectra
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______917::6d8c9811976f4cf317b8c3b94b19fb91
https://hdl.handle.net/10995/106688
https://hdl.handle.net/10995/106688
Autor:
Galiulina, J. S., Mamonov, A. P., Koubisy, M. S. I., Shtang, T. V., Biryukov, D. Yu., Gavrilov, N. V., Zatsepin, A. F., Volkovich, Vladimir A., Kashin, Ilya V., Smirnov, Andrey A., Narkhov, Evgeniy D.
Publikováno v:
AIP Conference Proceedings; 2020, Vol. 2316 Issue 1, p1-4, 4p