http://www.tkea.com.ua/tkea/2008/6_2008/pdf/12.zip

Autor: Kavetskyy T. S., Shpotyuk O. I., Litovchenko P. G., Tsmots V. M.

Publikováno v: Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 6, Pp 58-59 (2008)

It is established radiation-induced decreasing in fragility of structural network takes place for γ-irradiated sample of Ge15,8As21S63,2 chalcogenide glass. It is concluded on the basis of the results obtained that radiation modification of chalcoge

Externí odkaz: https://doaj.org/article/f3a61f08b3f847bdbc2f76e57f708b0c

ПІСЛЯРАДІАЦІЙНА РЕЛАКСАЦІЯ РАДІАЦІЙНО-ІНДУКОВАНИХ ЗМІН ОПТИЧНОГО ПОГЛИНАННЯ В ХАЛЬКОГЕНІДНОМУ СКЛІ СИСТЕМИ Ge-As-S

Autor: Kovalskiy, A. P., Shpotyuk, O. I., Golovchak, R. Ya., Vakiv, M. M.

Publikováno v: Sensor Electronics and Microsystem Technologies; Том 2, № 1 (2005); 52-56
Сенсорная электроника и микросистемные технологии; Том 2, № 1 (2005); 52-56
Сенсорна електроніка і мікросистемні технології; Том 2, № 1 (2005); 52-56

Проанализированы особенности использования радиационно-чувствительных сред на основе халькогенидных стекол системы As-Ge-S для регистра

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=scientific_p::7010ee0925138905c1591560141caefd
http://semst.onu.edu.ua/article/view/112090

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

On the origin of radiation-induced metastability in vitreous chalcogenide semiconductors: The role of intrinsic and impurity-related destruction-polymerization transformations.

Autor: Shpotyuk, M. V., Vakiv, M. M., Shpotyuk, O. I., Ubizskii, S. B.

Publikováno v: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2015, Vol. 18 Issue 1, p90-96, 7p

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.