Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Shohei Koshiba"'
Publikováno v:
SHINKU. 35:335-337
Autor:
Yoshio Ishihara, Shohei Koshiba
Publikováno v:
SHINKU. 34:553-555
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 30:L1974
Penta-di-methyl-amino-tantalum (Ta[N(CH3)2]5), a new source chemical of Ta in TaO chemical vapor deposition (CVD), has been studied. TG and DTA measurements show that Ta[N(CH3)2]5 is chemically stable up to about 150°C and vaporizes at a temperature
Autor:
Shohei Koshiba, Kenji Higashiyama, Naoki Wada, Takayuki Yuasa, Yoshihiro Shintani, Kunimasa Uematsu, Shiro Sakai, Masayoshi Umeno, Yoshihiro Ueta
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics. 30:L396
A reactor for metalorganic chemical vapor deposition is newly developed. The reactor has an internal flow selector by which two out of four continuously flowing gases are selected. The gas switching is performed just by rotating the flow selector wit
Autor:
Tabuchi, Toshiya, Sawado, Yoshinori, Kunimasa Uematsu, Kunimasa Uematsu, Shohei Koshiba, Shohei Koshiba
Publikováno v:
Japanese Journal of Applied Physics; November 1991, Vol. 30 Issue: 11 pL1974-L1974, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.