Zobrazeno 1 - 10
of 457
pro vyhledávání: '"Shockley–Read–Hall lifetime"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 4/15/1998, Vol. 83 Issue 8, p4206. 7p. 2 Charts, 6 Graphs.
Autor:
Jean-Louis Santailler, Nicolas Péré-Laperne, Ph. Ballet, A. Kerlain, D. Brellier, C. Cervera, O. Gravrand, B. Delacourt, C. Lobre, F. Boulard, J. Rothman, V. Destefanis
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials. 47:5680-5690
The Shockley–Read–Hall (SRH) mechanism might be a limiting factor of an infrared (IR) photodiode's dark current. This limitation is twofold. SRH generation might occur in the depletion region of the photodiode. In that case, the corresponding cur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8f2702d5084e3b7b2335b94f795bb501
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6557-2
https://doi.org/10.1007/s11664-018-6557-2
Autor:
M.M. Heyns, Nadine Collaert, Robert Langer, A. Alian, Geert Eneman, C Merckling, Eddy Simoen, Po-Chun Hsu
Publikováno v:
Journal of Physics : Conference Series
Several In.53Ga.47As p+n junctions with various extended defect densities (EDDs) have been grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), by carefully controlling the growth conditions. After fabrication, T-dependent J-V, C-V and double DLTS (DDL
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::68aa40a4a5e027c6dc5607a2596f004f
https://biblio.ugent.be/publication/8620555
https://biblio.ugent.be/publication/8620555
Publikováno v:
physica status solidi (b). 259:2100215
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f2c09bcc214b1cfedf2c7ffe39f7bc80
https://doi.org/10.1002/pssb.202100215
https://doi.org/10.1002/pssb.202100215
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 6/15/1996, Vol. 79 Issue 12, p9142. 7p. 1 Chart, 11 Graphs.