Zobrazeno 1 - 10 of 32 pro vyhledávání: '"Shiryaev, S. Yu."'
1
Akademický článek
Rapid thermal annealing of high concentration mixed As/In- and P/In-implanted silicon single crystals.
Autor: Shiryaev, S. Yu., Nylandsted Larsen, A., Safronov, N.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1990, Vol. 68 Issue 8, p3953, 4p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Rapid thermal annealing of indium-implanted silicon single crystals.
Autor: Shiryaev, S. Yu., Larsen, A. Nylandsted, Safronov, N.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/1989, Vol. 65 Issue 11, p4220, 5p, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Structural and electrical characteristics of Ge and Se implanted InP after rapid thermal annealing.
Autor: Kringho\j, P., Hansen, J. L., Shiryaev, S. Yu.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/15/1992, Vol. 72 Issue 6, p2249, 7p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
The chemical interaction between high-concentration, mixed-ion-implanted group-III and -V impurities in silicon.
Autor: Shiryaev, S. Yu., Nylandsted Larsen, A., Deicher, M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1992, Vol. 72 Issue 2, p410, 12p, 2 Black and White Photographs, 1 Chart, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Deactivation of electrically active arsenic in silicon during cooling-down from elevated temperatures.
Autor: Larsen, A. Nylandsted, Christensen, B., Shiryaev, S. Yu.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/1992, Vol. 71 Issue 10, p4854, 5p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Self-adjustment of misfit dislocations in compositionally graded Si 1−x Ge x layers.
Autor: Shiryaev, S. Yu.
Publikováno v: Philosophical Magazine Letters; Oct1993, Vol. 68 Issue 4, p195-200, 6p
Zobrazit plný text záznamu
7
Periodical
Modification of silicon structure during highly intensive Ar ion implantation
Autor: Komarov, F. F., Novikov, A. P., Samoilyuk, T. T., Solov'yev, V. S., Shiryaev, S. Yu.
Publikováno v: Radiation Effects and Defects in Solids; September 1985, Vol. 90 Issue: 3 p307-315, 9p
Zobrazit plný text záznamu
8
Periodical
Structural and phase transformations in thin al layers implanted with chemically active impurity ions
Autor: Boretz, A. A., Komarov, F. F., Pil'ko, V. V., Shiryaev, S. Yu.
Publikováno v: Radiation Effects and Defects in Solids; March 1986, Vol. 87 Issue: 4 p163-168, 6p
Zobrazit plný text záznamu
9
Periodical
Effect of crystallographic orientation on the dislocation structure development in ion implanted Si
Autor: Komarov, F. F., Kuryazov, V. D., Solov'ev, V. S., Shiryaev, S. Yu.
Publikováno v: Radiation Effects and Defects in Solids; April 1984, Vol. 86 Issue: 4 p139-143, 5p
Zobrazit plný text záznamu
10
Periodical
Crystallization and defects annealing during highly intensive ion implantation in silicon
Autor: Komarov, F. F., Novikov, A. P., Shiryaev, S. Yu., Andreev, V. S., Yefimov, S. B., Samoilyuk, T. T.
Publikováno v: Radiation Effects and Defects in Solids; July 1985, Vol. 85 Issue: 6 p243-247, 5p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje