Zobrazeno 1 - 10
of 1 896
pro vyhledávání: '"Shiraki Y"'
Autor:
Obata, T., Takeda, K., Kamioka, J., Kodera, T., Akhtar, W. M., Sawano, K., Oda, S., Shiraki, Y., Tarucha, S.
We develop quantum dots in a single layered MOS structure using an undoped Si/SiGe wafer. By applying a positive bias on the surface gates, electrons are accumulated in the Si channel. Clear Coulomb diamond and double dot charge stability diagrams ar
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1311.2681
Autor:
Kameda, D., Kubo, T., Ohnishi, T., Kusaka, K., Yoshida, A., Yoshida, K., Ohtake, M., Fukuda, N., Takeda, H., Tanaka, K., Inabe, N., Yanagisawa, Y., Gono, Y., Watanabe, H., Otsu, H., Baba, H., Ichihara, T., Yamaguchi, Y., Takechi, M., Nishimura, S., Ueno, H., Yoshimi, A., Sakurai, H., Motobayashi, T., Nakao, T., Mizoi, Y., Matsushita, M., Ieki, K., Kobayashi, N., Kawada, Y., Tanaka, N., Deguchi, S., Satou, Y., Kondo, Y., Nakamura, T., Yoshinaga, K., Ishii, C., Yoshii, H., Miyashita, Y., Uematsu, N., Shiraki, Y., Sumikama, T., Chiba, J., Ideguchi, E., Saito, A., Yamaguchi, T., Hachiuma, I., Suzuki, T., Moriguchi, T., Ozawa, A., Ohtsubo, T., Famiano, M. A., Geissel, H., Nettleton, A. S., Tarasov, O. B., Bazin, D., Sherrill, B. M., Manikonda, S. L., Nolen, J. A.
A search for isomeric gamma-decays among fission fragments from 345 MeV/nucleon 238U has been performed at the RIKEN Nishina Center RI Beam Factory. Fission fragments were selected and identified using the superconducting in-flight separator BigRIPS
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1211.1996
Autor:
Morishita, H., Vlasenko, L. S., Tanaka, H., Semba, K., Sawano, K., Shiraki, Y., Eto, M., Itoh, K. M.
Electron paramagnetic resonance of ensembles of phosphorus donors in silicon has been detected electrically with externally applied magnetic fields lower than 200 G. Because the spin Hamiltonian was dominated by the contact hyperfine term rather than
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0907.0769
Autor:
Hamaya, K., Masubuchi, S., Hirakawa, K., Ishida, S., Arakawa, Y., Sawano, K., Shiraki, Y., Machida, T.
We study the edge-channel transport of electrons in a high-mobility Si/SiGe two-dimensional electron system in the quantum Hall regime. By selectively populating the spin-resolved edge channels, we observe suppression of the scattering between two ed
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0603432
Publikováno v:
Physica E 6, 260 (2000)
Magnetotransport in 2DES's formed in Si-MOSFET's and Si/SiGe quantum wells at low temperatures is reported. Metallic temperature dependence of resistivity is observed for the n-Si/SiGe sample even in a parallel magnetic field of 9T, where the spins o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9906425
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sawano, K., Hoshi, Y., Endo, S., Nagashima, T., Arimoto, K., Yamanaka, J., Nakagawa, K., Yamada, S., Hamaya, K., Miyao, M., Shiraki, Y.
Publikováno v:
In Thin Solid Films 30 April 2014 557:76-79
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.