Zobrazeno 1 - 10 of 23 pro vyhledávání: '"Shingyouji, Takayuki"'
1
Akademický článek
Effect of oxidation ambient on the dielectric breakdown characteristics of thermal oxide films of silicon.
Autor: Murakami, Yoshio, Shiota, Takaaki, Shingyouji, Takayuki, Abe, Hidenobu
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/1994, Vol. 75 Issue 10, p5302, 4p, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Separation and analysis of diffusion and generation components of pn junction leakage current in various silicon wafers.
Autor: Murakami, Yoshio, Shingyouji, Takayuki
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/1/1994, Vol. 75 Issue 7, p3548, 5p, 1 Chart, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Simulation of light scattering by a particle on a film-coated substrate using coupled-dipole method.
Autor: Kondo, Hideyuki, Yoshinobu, Tatsuo, Shingyouji, Takayuki, Iwasaki, Hiroshi
Publikováno v: Optical Review; Nov1996, Vol. 3 Issue 6A, p497-500, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Transient component of leakage current in silicon pn junctions.
Autor: Murakami, Yoshio, Shingyouji, Takayuki
Publikováno v: Applied Physics Letters; 11/14/1994, Vol. 65 Issue 20, p2591, 3p, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Periodical
Low Surface Recombination Velocity on Silicon Wafer Surfaces due to Iodine-Ethanol Treatment
Autor: Kurita, Kazunari, Shingyouji, Takayuki
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; October 1999, Vol. 38 Issue: 10 p5710-5710, 1p
Zobrazit plný text záznamu
8
Periodical
Identification and Quantification of Transition Metal Impurities in Czochralski Silicon Wafers using Microwave Photoconductive Decay Lifetime Measurements
Autor: Kurita, Kazunari, Shingyouji, Takayuki
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; November 1998, Vol. 37 Issue: 11 p5861-5861, 1p
Zobrazit plný text záznamu
9
Periodical
A Study of Defect Formation Mechanism at Edges of Local Oxidation of Silicon Structure
Autor: Ishigami, Shun-ichiro, Shinyashiki, Hiroshi, Hisashi Furuya, Hisashi Furuya, Takayuki Shingyouji, Takayuki Shingyouji
Publikováno v: Japanese Journal of Applied Physics; September 1994, Vol. 33 Issue: 9 pL1198-L1198, 1p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje