Zobrazeno 1 - 10 of 282 pro vyhledávání: '"Shimura, F."'
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Measurement of the electronic transfer process in nitride film on a silicon substrate via photoconductance decay.
Autor: Zhong, L., Tsuya, H., Shimura, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/1993, Vol. 74 Issue 12, p7311, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Highly resolved separation of carrier- and thermal-wave contributions to photothermal signals from Cr-doped silicon using rate-window infrared radiometry.
Autor: Mandelis, A., Bleiss, R., Shimura, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1993, Vol. 74 Issue 5, p3431, 4p, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Photothermal rate-window spectrometry for noncontact bulk lifetime measurements in semiconductors.
Autor: Chen, Z. H., Bleiss, R., Mandelis, A., Buczkowski, A., Shimura, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 5/15/1993, Vol. 73 Issue 10, p5043, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Multiple internal reflection infrared spectroscopy of silicon surface structure and oxidation process at room temperature.
Autor: Ling, L., Kuwabara, S., Abe, T., Shimura, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/15/1993, Vol. 73 Issue 6, p3018, 5p, 2 Diagrams, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Hydrogen enhanced out-diffusion of oxygen in Czochralski silicon.
Autor: Zhong, L., Shimura, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1993, Vol. 73 Issue 2, p707, 4p, 3 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
The effect of bonded interface on electrical properties of bonded silicon-on-insulator wafers.
Autor: Ling, L., Radzimski, Z. J., Abe, T., Shimura, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/1992, Vol. 72 Issue 8, p3610, 7p, 2 Diagrams, 2 Charts, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Relationship between interfacial native oxide thickness and bonding temperature in directly bonded silicon wafer pairs.
Autor: Ling, L., Shimura, F.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/1/1992, Vol. 71 Issue 3, p1237, 5p, 1 Diagram, 1 Chart, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje