Zobrazeno 1 - 10
of 21
pro vyhledávání: '"Shiduan Yin"'
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 9/1/1991, Vol. 70 Issue 5, p2610, 4p
Publikováno v:
Chinese Physics Letters. 11:293-296
A simple procedure for obtaining a background-free backscattering spectrum of a light-mass film on a heavy-mass substrate by a normal incidence/grazing exit geometry has been described. Using this method such films can be aligned rapidly and accurate
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::960d0798391b36a81373feac6de2efa1
https://doi.org/10.1088/0256-307x/11/5/010
https://doi.org/10.1088/0256-307x/11/5/010
Publikováno v:
Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 83:552-556
A technique for analysis of total oxygen contents in high-T(c) superconducting films is demonstrated. It uses elastic backscattering (EBS) of 1.5-2.5 MeV protons. By comparing the H EBS spectra from substrate materials, the absolute oxygen content in
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d12a15cb54f0a878baddcd762b7dd265
https://doi.org/10.1016/0168-583x(93)95886-a
https://doi.org/10.1016/0168-583x(93)95886-a
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 71:4843-4847
Molecular beam epitaxy GaAs films on Si, with thicknesses ranging from 0.9–2.0 μm, were implanted with Si ions at 1.2–2.6 MeV to doses in the range 1015–1016 cm−2. Subsequent rapid infrared thermal annealing was carried out at 850 °C for 15
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c3203558f228befbe7a950f4dbf2e3be
https://doi.org/10.1063/1.350627
https://doi.org/10.1063/1.350627
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 68:2100-2104
An ion beam with different incident energies E was used to analyze a 500‐A‐thick In0.25Ga0.75As strained epitaxial film grown on GaAs (100) by molecular beam epitaxy. Ion channeling angular scans about 〈110〉 axis were carried out in (100) pla
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2bfc090c67fac75d0a19734c0a19fd29
https://doi.org/10.1063/1.346564
https://doi.org/10.1063/1.346564
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.