Zobrazeno 1 - 10 of 40 pro vyhledávání: '"Shi, Limeng"'
2
Akademický článek
Modeling of Charge-to-Breakdown with an Electron Trapping Model for Analysis of Thermal Gate Oxide Failure Mechanism in SiC Power MOSFETs.
Autor: Qian, Jiashu1 (AUTHOR) qian.539@osu.edu, Shi, Limeng1 (AUTHOR) jin.845@osu.edu, Jin, Michael1 (AUTHOR) bhattacharya.119@osu.edu, Bhattacharya, Monikuntala1 (AUTHOR) yu.3868@osu.edu, Shimbori, Atsushi2 (AUTHOR) ashimbor@ford.com, Yu, Hengyu1 (AUTHOR) houshmand.3@osu.edu, Houshmand, Shiva1 (AUTHOR) white.1829@osu.edu, White, Marvin H.1 (AUTHOR), Agarwal, Anant K.1 (AUTHOR) qian.539@osu.edu
Publikováno v: Materials (1996-1944). Apr2024, Vol. 17 Issue 7, p1455. 15p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje