Zobrazeno 1 - 10
of 114
pro vyhledávání: '"Sheu, Gene"'
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 201, p 02004 (2018)
High performance power device is necessary for BCD power device. In this paper, we used 3D Synopsis TCAD simulation tool Sentaurus to develop 120V device and successfully simulated. We implemented in a conventional 0.35um BCDMOS process to present of
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1bb89959515e4d4da26624e72b97f8c9
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 201, p 05001 (2018)
In VDMOS device the anti-JFET concentration has important role for determining the breakdown voltage and on-resistance of the device. Because higher N-drift doping concentration can provide the very best on-resistance of the device but also decrease
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/0b132bc19b9e4510b025881be7aad1ef
Autor:
Yangi Shao Ming, Sheu Gene, Chien Ting Yao, Wu Chieh Chih, Lee Tzu Chieh, Wu Ching Yuan, Lai Chiu Chung
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 201, p 02003 (2018)
We used TCAD Synopsys 3D tools and device simulators to propose an innovative device structure of 80V-100V high-side NLDMOS by using the silicon to silicon-di-oxide ratio with side trench. The high-side can also be developed by placing an NBL structu
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9f6eab17689247679ed763d3dc034d34
Autor:
Deivasigamani Ravi, Sheu Gene, Aryadeep Chirag, Sai S. Krishna, Selvendran S., Yang Shao-Ming
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 201, p 02005 (2018)
In this paper, a novel 120V multiple RESURF lateral double-diffused MOS (LDMOS) transistor with shallow trench isolation (STI) structure in low side is developed and successfully simulated. The proposed multiple RESURF LDMOS is able to achieve better
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8dc0bd3c66544392af76d2e540a6186c
Autor:
Deivasigamani Ravi, Sheu Gene, Aanand, Wei Lu Shao, Sarwar Imam Syed, Lai Chiu-Chung, Yang Shao-Ming
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 201, p 02001 (2018)
In this paper, we demonstrate electrical degradation due to hot carrier injection (HCI) stress for PLDMOS device. The lower gate current and the IDsat degradation at low gate voltage (VGS) and high drain voltage (VDS) is investigated. Hot Electrons,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/5a6ebd875f8c431491b2ba8eb81a1907
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 201, p 01002 (2018)
In this paper, we report nanowire drain saturation current sensitivity property to measure femtomol level change in drain current due to different proteins i.e. DNA with numerical simulation and fabricated polysilicon nanowire based on the theoretica
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/eca4afc7d1ca46a5a330dd64a881ee1a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 44, p 02037 (2016)
A linearly graded doping drift region with step gate structure, used for improvement of reduced surface field (RESURF) SOI LDMOS transistor performance has been simulated with 0.35µm technology in this paper. The proposed device has one poly gate an
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/38617935880840e5aaeacacc815b6d3e