Zobrazeno 1 - 10
of 73
pro vyhledávání: '"Sheremet, V. N."'
Autor:
Sachenko, A. V., Belyaev, A. E., Boltovets, N. S., Vitusevich, S. A., Konakova, R. V., Novitskii, S. V., Sheremet, V. N.
Contact resistivity rc of InP and GaAs based ohmic contacts was measured in the 4.2/300 K temperature range. Nonmonotonic dependences rc(T), with a minimum at temperature 50 K (150 K) for InP (GaAs) based contacts were obtained. The results can be ex
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1401.1658
Autor:
Belyaev, A. E., Boltovets, N. S., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Sachenko, A. V., Sheremet, V. N.
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics, 2010.- V.13, N4.- P.436-438
We investigated temperature dependence of contact resistance of an Au-Ti-Pd2Si ohmic contact to heavily doped n+-Si. The contact resistance increases with temperature owing to conduction through the metal shunts. In this case, the limiting process is
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1104.1030
Autor:
Boltovets N. S., Ivanov V. N., Kovtonyuk V. M., Rayevskaya N. S., Belyaev A. E., Bobyl A. V., Konakova R. V., Kudryk Ya. Ya., Milenin V. V., Novitskiy S. V., Sheremet V. N.
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 5-6, Pp 3-6 (2010)
The article presents the research on interactions between phases in the Ge–Au, Ge–TiBx and Au–TiBxAu contacts to n–n+–n++-InP, both before and after rapid thermal annealing, and also the output parameters of Gunn diodes based on the InP str
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/461ad1bcb0b3472ba4bc4a5bcd947c1d
Autor:
Sheremet, V. N.1 VolodymyrSheremet@gmail.com
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2014, Vol. 17 Issue 4, p394-397. 4p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Sheremet, V. N.1 VolodymyrSheremet@gmail.com
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2013, Vol. 16 Issue 3, p280-284. 5p.
Autor:
Sachenko, A. V., Belyaev, A. E., Boltovets, N. S., Vinogradov, A. O., Kladko, V. P., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Kuchuk, A. V., Sheremet, V. N., Vitusevich, S. A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Sep2012, Vol. 112 Issue 6, p063703, 5p, 1 Color Photograph, 3 Charts, 2 Graphs
Autor:
Sachenko, A. V., Belyaev, A. E., Boltovets, N. S., Konakova, R. V., Kudryk, Ya. Ya., Novitskii, S. V., Sheremet, V. N., Li, J., Vitusevich, S. A.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; Apr2012, Vol. 111 Issue 8, p083701, 9p, 1 Chart, 8 Graphs
Autor:
Belyaev, A. E., Boltovets, N. S., Klad'ko, V. P., Safryuk-Romanenko, N. V., Lubchenko, A. I., Sheremet, V. N., Shynkarenko, V. V., Slepova, A. S., Pilipenko, V. A., Petlitskaya, T. V., Pilipchuk, A. S., Konakova, R. V., Sachenko, A. V.
Publikováno v:
Semiconductors; Apr2019, Vol. 53 Issue 4, p469-476, 8p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.