Zobrazeno 1 - 10
of 201
pro vyhledávání: '"Shengurov, V."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Alyabina, N. A., Arkhipova, E. A., Buzynin, Yu. N., Denisov, S. A., Zdoroveishchev, A. V., Titova, A. M., Chalkov, V. Yu., Shengurov, V. G.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Jun2024, Vol. 53 Issue 3, p197-201, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Tikhov, S. V.1 (AUTHOR) tikhov@phys.unn.ru, Shengurov, V. G.1 (AUTHOR), Denisov, S. A.1 (AUTHOR), Antonov, I. N.1 (AUTHOR), Kruglov, A. V.1 (AUTHOR), Belov, A. I.1 (AUTHOR), Filatov, D. O.1 (AUTHOR), Gorshkov, O. N.1 (AUTHOR), Mikhailov, A. N.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics. Oct2020, Vol. 65 Issue 10, p1668-1676. 9p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Prokhorov, D. S.1 (AUTHOR) dprokhrov@mail.ru, Shengurov, V. G.1 (AUTHOR), Denisov, S. A.1 (AUTHOR), Filatov, D. O.1 (AUTHOR), Zdoroveishev, A. V.1 (AUTHOR), Chalkov, V. Yu.1 (AUTHOR), Zaitsev, A. V.1 (AUTHOR), Ved', M. V.1 (AUTHOR), Dorokhin, M. V.1 (AUTHOR), Baidakova, N. A.2 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1262-1265. 4p.
Autor:
Shengurov, V. G.1 (AUTHOR) shengurov@phys.unn.ru, Filatov, D. O.1 (AUTHOR), Denisov, S. A.1 (AUTHOR), Chalkov, V. Yu.1 (AUTHOR), Alyabina, N. A.1 (AUTHOR), Zaitsev, A. V.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1238-1241. 4p.
Autor:
null Kruglov A. V., null Antonov I. N., null Kotomina V. E., null Shenina M. E., null Denisov S. A., null Shengurov V. G., null Gorshkov O. N., null Filatov D. O.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 49:3
The electrical parameters of the prototype memristors based on p-Si/p-Ge/n+-Si(001) epitaxial heterostructures with Ag and Ru electrodes have been studied. The memristors with Ru electrodes demonstrated smaller electroforming voltage and greater rati
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::438963063f70b79a8042899c545ba6ed
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.01.55336.19367
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.01.55336.19367
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.