Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Shen, Rongxuan"'
Autor:
Zhao, Zhiyuan, Chen, Yihao, Feng, Pengcheng, Li, Jixing, Chen, Gang, Shen, Rongxuan, Lu, Huaxiang
FPGA accelerators for lightweight neural convolutional networks (LWCNNs) have recently attracted significant attention. Most existing LWCNN accelerators focus on single-Computing-Engine (CE) architecture with local optimization. However, these design
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.19449
Passwords are the most widely used method of authentication and password guessing is the essential part of password cracking and password security research. The progress of deep learning technology provides a promising way to improve the efficiency o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2403.09954
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Novel physical network algorithm for indirect measurement of polished rod load of beam-pumping unit.
Publikováno v:
Journal of Engineering; Oct2019, Vol. 2019 Issue 20, p7287-7292, 6p
Autor:
Jun Feng, Shen Rongxuan, Zhigong Wang, Luhong Mao, Kun Liang, Jun Tiang, Ximing Ke, Yongzhen Huang, Huanyan Liu, Ronghan Wu, Hongda Chen, Yun Du
Publikováno v:
IEEE/LEOS Summer Topi All-Optical Networking: Existing and Emerging Architecture and Applications/Dynamic Enablers of Next-Generation Optical Communications Systems/Fast Optical Processing in Optical Transmission/VCSEL and Microcavity Lasers..
Summary form only given. We designed and fabricated the hybrid integrated CMOS-VCSEL multiple chip modules. The VCSEL operate at 850nm wavelength. A typical VCSEL has a threshold current of 4 mA, and quantum efficiency of 0.3 mW/mA. Operating at 8 mA
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1c76a3dd3fbb1d3e87a4c376a7bb66fd
https://doi.org/10.1109/leosst.2002.1027601
https://doi.org/10.1109/leosst.2002.1027601
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2005, Issue 1, p472-475, 4p
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2005, Issue 1, p928-932, 5p
Publikováno v:
Proceedings of SPIE; Nov2005, Issue 1, p933-937, 5p