Zobrazeno 1 - 2
of 2
pro vyhledávání: '"Shen, Keng-Hui"'
Autor:
Shen, Keng-Hui, 沈庚輝
105
With transistor dimension shrinking into nanoscale regime, it suffers from significant drive current reduction, due to mobility degradation and source/drain parasitic resistance increase. The big challenge going forward is that continued sca
With transistor dimension shrinking into nanoscale regime, it suffers from significant drive current reduction, due to mobility degradation and source/drain parasitic resistance increase. The big challenge going forward is that continued sca
Externí odkaz:
http://ndltd.ncl.edu.tw/handle/n8r859
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.