Zobrazeno 1 - 10
of 149
pro vyhledávání: '"Shekar, N V Chandra"'
In the present work, a thin film was deposited on quartz substrate by reactive RF magnetron sputtering of high purity (99.999%) aluminium target using ultra-high pure (Ar + N2) gas mixture. The percentage ratio of Ar and N2 in the gas mixture was 95%
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2010.08361
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Satya, A. T., Mani, Awadhesh, Arulraj, A., Shekar, N. V. Chandra, Vinod, K., Sundar, C. S., Bharathi, A.
The temperature and pressure dependent electrical resistivity rho(T,P) studies have been performed on BaMn2As2 single crystal in the 4.2 to 300 K range upto of 8.2 GPa to investigate the evolution of its ground state properties. The rho(T) shows a ne
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1110.4969
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Subramanian, N., Ummru, Mrithula, Bindu, R., Kumar, N. R. Sanjay, Sekar, M., Shekar, N. V. Chandra, Sahu, P. Ch.
This paper describes the automation of a laser heating arrangement for synthesizing and studying materials at high pressures (up to ~ 1 Mbar) and high temperatures (up to ~ 5000 K). In this arrangement, a diamond anvil high-pressure cell (DAC) contai
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/0805.1251