Zobrazeno 1 - 10
of 72
pro vyhledávání: '"Sheinkman, M."'
Autor:
Khomenkova, L., Korsunska, N., Sheinkman, M., Stara, T., Torchynska, T.V., Vivas Hernandez, A.
Publikováno v:
In Journal of Luminescence 2005 115(3):117-121
Autor:
Baran, M., Khomenkova, L., Korsunska, N., Stara, T., Sheinkman, M., Goldstein, Y., Jedrzejewski, J., Savir, E.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/1/2005, Vol. 98 Issue 11, p113515, 5p, 3 Graphs
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/15/1994, Vol. 76 Issue 2, p1180, 4p
Si-rich SiO₂ films prepared by r.f. magnetron sputtering and annealed at 1150 °C are investigated by photoluminescence, Raman and EPR methods. It is found that emission spectrum of as-prepared samples contains one broad infrared band. It is shown
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::4b41a80eae6f48314cfb46ff323a214d
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118036
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118036
Electron-enhanced reactions in II-VI compounds are shown to be caused by the presence of some mobile defects which diffusion is not enhanced under excitation. At the same time, electron-enhanced diffusion can be imitated in these reactions due to car
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::b76352eb70960204c7fe5ce849085d85
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117932
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117932
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physics of Semiconductors - Proceedings of the 20th International Conference (In 3 Volumes); 1990, p465-468, 4p
Publikováno v:
Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2007, Vol. 10 Issue 4, p21-25, 5p, 3 Graphs