Výsledky vyhledávání - "Sheglov, M."

Akademický článek

Change in the Character of Biaxial Stresses with an Increase in x from 0 to 0.7 in AlGaN:Si Layers Obtained by Ammonia Molecular Beam Epitaxy.

Autor: Ratnikov, V.¹ ratnikov@mail.ioffe.ru, Sheglov, M.¹, Ber, B.¹, Kazantsev, D.¹, Osinnykh, I., Malin, T.², Zhuravlev, K.

Publikováno v: Semiconductors. Feb2018, Vol. 52 Issue 2, p221-225. 5p.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Structural, electrical, and optical properties of low-doped 4H–SiC chemical vapor deposited epitaxial layers.

Autor: Kalinina, E., Kholujanov, G., Zubrilov, A., Solov’ev, V., Davydov, D., Tregubova, A., Sheglov, M., Kovarskii, A., Yagovkina, M., Violina, G., Pensl, G., Halle´n, A., Konstantinov, A., Karlsson, S., Rendakova, S., Dmitriev, V.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/2001, Vol. 90 Issue 10, p5402, 8p, 3 Black and White Photographs, 1 Diagram, 1 Chart, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Periodical

Residual strains in GaN grown on 6H-SiC

Autor: Nikitina, I. P., Sheglov, M. P., Melnik, Y., Irvine, K. G., Dmitriev, V. A.

Publikováno v: Diamond and Related Materials; 1997, Vol. 6 Issue: 10 p1524-1527, 4p

Zobrazit plný text záznamu

The project of high power submillimetr-wavelength free electron laser

Autor: Bolotin, V. P., Gavrilov, N. G., Kairan, D. A., Kholopov, M. A., Kolobanov, E. I., Kubarev, V. V., Kulipanov, G. N., Miginsky, S. V., Mironenko, L. A., Oreshkov, A. D., Popik, M. V., Shaftan, T. V., Sheglov, M. A., Shevchenko, O. A., Skrinsky, A. N., Nikolay Vinokurov, Vobly, P. D.

Publikováno v: Scopus-Elsevier

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::24ab3f0176b7e687b08154414d6eb097
http://www.scopus.com/inward/record.url?eid=2-s2.0-84864542105&partnerID=MN8TOARS

Zobrazit plný text záznamu