Zobrazeno 1 - 10
of 99
pro vyhledávání: '"Shao Weihua"'
Publikováno v:
The Journal of Engineering (2019)
Compared to silicon devices, silicon carbide (SiC) devices have much lower C(oss) and Q(g); they can switch at much higher speed, SiC power modules are thus more sensitive to stray parameters. Large stray inductance may result in high voltage spikes
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/2b931effc7ea434e99c11a18ef339530
Autor:
Qi, Yibo, Shao, Weihua, Gao, Jing, Ni, Nan, Xue, Feifei, Wang, Tianxiao, Wang, Yuli, Fan, Yi, Yuan, Hua
Publikováno v:
Head & Neck; Aug2024, Vol. 46 Issue 8, p2031-2041, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Renewable and Sustainable Energy Reviews October 2017 78:624-639
Publikováno v:
In Journal of Stroke and Cerebrovascular Diseases June 2016 25(6):1326-1334
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
BioMed Research International. 3/3/2020, p1-13. 13p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.