Zobrazeno 1 - 10
of 287
pro vyhledávání: '"Shao, Ye"'
Autor:
Wang, Zhi-Cheng, Shao, Ye-Ting, Lin, Yi-Qiang, Song, Shi-Jie, Li, Bai-Zhuo, Cheng, Er-Jian, Li, Shi-Yan, Zhu, Qin-Qing, Ren, Zhi, Cao, Guang-Han
Publikováno v:
Phys. Rev. B 108, 064503 (2023)
Theoretical studies predicted possible superconductivity in electron-doped chromium pnictides isostructural to their iron counterparts. Here, we report the synthesis and characterization of a new ZrCuSiAs-type Cr-based compound ThCrAsN, as well as it
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.05267
Autor:
Xu, Zhaoqi, Huang, Fengzhen, Shao, Ye, Shen, Biwei, Wu, Zijing, Hu, Xueli, Lian, Jiaqi, Xu, Meng, Xiao, Zeyu, Lu, Xiaomei
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 15 October 2024 1002
Autor:
Shao, Ye-Ting, Wang, Zhi-Cheng, Li, Bai-Zhuo, Wu, Si-Qi, Wu, Ji-Feng, Ren, Zhi, Qiu, Su-Wen, Rao, Can, Wang, Cao, Cao, Guang-Han
Publikováno v:
Sci. China Mater. 62(9), 1357-1362 (2019)
Recently, An electron-doped 12442-type iron-based superconductor BaTh$_2$Fe$_4$As$_4$(N$_{0.7}$O$_{0.3}$)$_2$ has been successfully synthesized with high-temperature solid-state reactions on basis of a structural design. The inter-block-layer charge
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1908.03992
Publikováno v:
In Earthquake Research Advances July 2023 3(3)
Publikováno v:
Phys. Rev. B 99, 144501 (2019)
CsCa$_2$Fe$_4$As$_4$F$_2$ is a newly discovered iron-based superconductor with $T_\mathrm{c}\sim$ 30 K containing double Fe$_2$As$_2$ layers that are separated by insulating Ca$_2$F$_2$ spacer layers. Here we report the transport and magnetization me
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1811.05706
Publikováno v:
In Journal of Analytical and Applied Pyrolysis August 2023
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shao, Ye
The history of the semiconductor industry is a story of Moore's Law. However, the end of Moore's Law has been predicted for the near future as the transistor’s overly-scaled gate length eventually loses control of current flow in the channel. Gate-
Externí odkaz:
http://rave.ohiolink.edu/etdc/view?acc_num=osu1448230793
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.