Zobrazeno 1 - 10
of 33
pro vyhledávání: '"Shangguan, Shipeng"'
Autor:
Li, Ruichuan, Zhang, Qingguang, Li, Zhengyu, Yuan, Wentao, Sun, Qiyou, Yang, Junru, Sun, Yuhang, Chen, Lanzheng, Li, Dongrun, Shangguan, Shipeng
Publikováno v:
In Alexandria Engineering Journal February 2025 114:556-571
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shangguan, ShiPeng, Han, JianWei, Ma, YingQi, Wang, YingHao, Liu, PengCheng, Chen, Rui, Zhu, Xiang
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability December 2022 139
Publikováno v:
Yuanzineng kexue jishu, Vol 56, Iss 4, Pp 758-766 (2022)
SRAM with high density CMOS technology is extremely sensitive to single event latch�up, so it is necessary to adopt corresponding protection strategies in space applications. For CTOS with reduced radiation resistance, circuit level protection beco
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a0dcf618bbb74194a6231ed2fa9f7d84
Autor:
Shangguan, ShiPeng, Ma, YingQi, Han, JianWei, Cui, YiXin, Wang, YingHao, Chen, Rui, Liang, YaNan, Zhu, Xiang, Li, Yue
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability October 2021 125
Autor:
Liu, Shuhuan, Du, Xuecheng, Du, Xiaozhi, Zhang, Yao, Mubashiru, Lawal Olarewaju, Luo, Dongyang, yuan, Yuan, Deng, Tianxiang, Li, Zhuoqi, Zang, Hang, Li, Yonghong, He, Chaohui, Ma, Yingqi, Shangguan, Shipeng
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 September 2017 406 Part B:449-455
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
2019 IEEE Radiation Effects Data Workshop.
This paper presents micro single event latch-up characterization of SRAM by laser backside testing. The SEL threshold and the detailed micro SEL features have been investigated by laser automatic scanning experiment. The micro SEL results can give th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f7d8856dcab0c637141ef2800d314a87
https://doi.org/10.1109/redw.2019.8906568
https://doi.org/10.1109/redw.2019.8906568