Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Shandyba, Nikita"'
Autor:
Balakirev, Sergey, Nadtochiy, Alexey, Kryzhanovskaya, Natalia, Kirichenko, Danil, Chernenko, Natalia, Shandyba, Nikita, Komarov, Sergey, Dragunova, Anna, Zhukov, Alexey, Solodovnik, Maxim
Publikováno v:
In Journal of Luminescence August 2024 272
Autor:
Shandyba, Nikita1 (AUTHOR), Balakirev, Sergey1 (AUTHOR), Sharov, Vladislav2,3 (AUTHOR), Chernenko, Natalia1 (AUTHOR), Kirichenko, Danil1 (AUTHOR), Solodovnik, Maxim1 (AUTHOR) solodovnikms@sfedu.ru
Publikováno v:
International Journal of Molecular Sciences. Jan2023, Vol. 24 Issue 1, p224. 11p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Shandyba, Nikita, Kirichenko, Danil, Chernenko, Natalia, Eremenko, Mikhail, Balakirev, Sergey, Solodovnik, Maxim
The paper presents the results of experimental studies of GaAs nanowire growth on Si(111) substrate with Ga focused ion beam modified areas with different treatment doses. We observed a significant difference between the parameters of nanowires array
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::5da63f7ece68f0073d59ea0fb9f44337
Autor:
Nikitina, Larisa, Lakhina, Ekaterina, Eremenko, Mikhail, Balakirev, Sergey, Chernenko, Natalia, Shandyba, Nikita, Ageev, Oleg, Solodovnik, Maxim
This paper presents the results of atomic force microscopy and Raman spectroscopy studies of the effect of high-temperature annealing on the height/depth parameters of silicon areas modified by a focused ion beam. It is shown that the focused ion bea
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::38e66970a4bbeb35f0dd83e53fd4c7c6
Autor:
Balakirev, Sergey, Kirichenko, Danil, Chernenko, Natalia, Shandyba, Nikita, Eremenko, Mikhail, Solodovnik, Maxim
In this paper, we demonstrate a novel technique enabling fabrication of small-sized InAs/GaAs quantum dots with a very low surface density during droplet epitaxy. In contrast to the traditional two-stage approach, we introduce an additional stage of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::2974484a7d909215344843d5350818fc
Autor:
Balakirev, Sergey, Lakhina, Ekaterina, Kirichenko, Danil, Chernenko, Natalia, Shandyba, Nikita, Eremenko, Mikhail, Solodovnik, Maxim
GaAs nanostructures are promising candidates for use in future nanoelectronics and quantum photonics. However, technology of their controllable fabrication with precisely predefined size, shape and surface density still requires further improvement.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::eee1fee86c389547e9ce6db38f7eb610
Autor:
Chernenko, Natalia, Kirichenko, Danil, Shandyba, Nikita, Balakirev, Sergey, Eremenko, Michael, Solodovnik, Maxim
In this work, we study of the effect of focused ion beam (FIB) and pre-growth treatment based on local droplet etching (LDE) techniques combination on the regular nanohole array formation on GaAs(001) surface, which can act as template for selective
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e156f7a3a3cee692b90bc1b06021a9a8