Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Shahi, Simran"'
Autor:
Liu, Maomao, Jaiswal, Hemendra Nath, Shahi, Simran, Wei, Sichen, Fu, Yu, Chang, Chaoran, Chakravarty, Anindita, Liu, Xiaochi, Yang, Cheng, Liu, Yanpeng, Lee, Young Hee, Yao, Fei, Li, Huamin
Room-temperature Fermi-Dirac electron thermal excitation in conventional three-dimensional (3D) or two-dimensional (2D) semiconductors generates hot electrons with a relatively long thermal tail in energy distribution. These hot electrons set a funda
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2012.13970
Autor:
Jaiswal, Hemendra Nath, Liu, Maomao, Shahi, Simran, Wei, Sichen, Lee, Jihea, Chakravarty, Anindita, Guo, Yutong, Wang, Ruiqiang, Lee, Jung Mu, Chang, Chaoran, Fu, Yu, Dixit, Ripudaman, Liu, Xiaochi, Yang, Cheng, Yao, Fei, Li, Huamin
Two-dimensional (2D) semiconductors are promising material candidates for next-generation nanoelectronics. However, there are fundamental challenges related to their metal-semiconductor (MS) contacts which limit the performance potential for practica
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2003.12879
Autor:
Liu, Maomao, Wei, Sichen, Shahi, Simran, Jaiswal, Hemendra Nath, Paletti, Paolo, Fathipour, Sara, Remskar, Maja, Jiao, Jun, Hwang, Wansik, Yao, Fei, Li, Huamin
High contact resistance is one of the primary concerns for electronic device applications of two-dimensional (2D) layered semiconductors. Here, we explore the enhanced carrier transport through metal-semiconductor interfaces in WS2 field effect trans
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.05105
Autor:
Jaiswal, Hemendra Nath, Liu, Maomao, Shahi, Simran, Yao, Fei, Zhao, Qiyi, Xu, Xinlong, Li, Huamin
HfSe2 and ZrSe2 are newly discovered two-dimensional (2D) semiconducting transition metal dichalcogenides (TMDs) with promising properties for future nanoelectronics and optoelectronics. We theoretically revealed the electronic and optical properties
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1810.04829
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Liu, Maomao, Wei, Sichen, Shahi, Simran, Jaiswal, Hemendra Nath, Paletti, Paolo, Fathipour, Sara, Remškar, Maja, Jiao, Jun, Hwang, Wansik, Yao, Fei, Li, Huamin
Publikováno v:
Nanoscale; 9/7/2020, Vol. 12 Issue 33, p17253-17264, 12p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.