Zobrazeno 1 - 10
of 30
pro vyhledávání: '"Sesing, Nicholas"'
Autor:
Geremew, Tekwam, Taheri, Maedeh, Sesing, Nicholas, Ghosh, Subhajit, Kargar, Fariborz, Salguero, Tina T., Balandin, Alexander A.
We report on the solution processing and testing of electronic ink comprised of quasi-one-dimensional NbS$_3$ charge-density-wave fillers. The ink was prepared by liquid-phase exfoliation of NbS$_3$ crystals into high-aspect ratio quasi-1D fillers di
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2404.09038
We report on the field-effect modulation of the charge-density-wave quantum condensate in the top-gated heterostructure devices implemented with quasi-one-dimensional NbS$_3$ nanowire channels and quasi-two-dimensional h-BN gate dielectric layers. Th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2310.19027
Autor:
Barani, Zahra, Geremew, Tekwam, Stokey, Megan, Sesing, Nicholas, Taheri, Maedeh, Hilfiker, Matthew J., Kargar, Fariborz, Schubert, Mathias, Salguero, Tina T., Balandin, Alexander A.
We demonstrate a unique class of advanced materials - quantum composites based on polymers with fillers comprised of a van der Waals quantum material that reveals multiple charge-density-wave quantum condensate phases. Materials that exhibit quantum
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2302.11069
Autor:
Kargar, Fariborz, Barani, Zahra, Sesing, Nicholas R., Mai, Thuc T., Debnath, Topojit, Zhang, Huairuo, Liu, Yuhang, Zhu, Yanbing, Ghosh, Subhajit, Biacchi, Adam J., da Jornada, Felipe H., Bartels, Ludwig, Adel, Tehseen, Walker, Angela R. Hight, Davydov, Albert V., Salguero, Tina T., Lake, Roger K., Balandin, Alexander A.
We report on the temperature evolution of the polarization-dependent Raman spectrum of exfoliated MoI$_3$, a van der Waals material with a "true one-dimensional" crystal structure that can be exfoliated to individual atomic chains. The temperature ev
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2210.05081
Autor:
Taheri, Maedeh, Brown, Jonas, Rehman, Adil, Sesing, Nicholas R., Kargar, Fariborz, Salguero, Tina T., Rumyantsev, Sergey, Balandin, Alexander A.
We report on electrical gating of the charge-density-wave phases and current in h-BN capped three-terminal 1T-TaS$_2$ heterostructure devices. It is demonstrated that the application of a gate bias can shift the source-drain current-voltage hysteresi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2208.07857
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.