Výsledky vyhledávání - "Sergey Bytkin"

МЕТОДИКА СТАТИСТИЧНОЇ ОЦІНКИ РЕЗУЛЬТАТІВ ТЕХНОЛОГІЧНОГО ЕКСПЕРИМЕНТУ В ЧОРНІЙ МЕТАЛУРГІЇ У СЕРЕДОВИЩІ «STATISTICA» ТА «MATHCAD»

Autor: Sergey Bytkin, Tatiana Krytskaya

Publikováno v: Scientific Journal "Metallurgy". :103-109

Показана можливість використання прикладних пакетів «STATISTICA» та«MathCAD» для оцінки ефективності застосування нового технологічного вирі

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b7ecac6a308544dfcf0dfef03d121f5b
https://doi.org/10.26661/2071-3789-2020-1-15

Zobrazit plný text záznamu

Моделирование s-образного процесса накопления А- и Е-центров в изовалентно легированном германием кремнии в среде Statistica И Mathcad

Autor: Tatyana Kritskaya, Sergey Bytkin

Publikováno v: Modern Problems of Metalurgy. 1:29-35

Кремний, легированный изовалентной примесью германия (Si или SiGe в англоязычной научно-технической литературе), обладает рядом физико-тех

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bf33795c8471b475ffef9754446ed0ac
https://doi.org/10.34185/1991-7848.2018.01.06

Zobrazit plný text záznamu

РАДИАЦИОННАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ПЛАНАРНЫХ npn СТРУКТУР, ИЗГОТОВЛЕННЫХ НА ИЗОВАЛЕНТНО ЛЕГИРОВАННОМ ГЕРМАНИЕМ КРЕМНИИ (nSiGe)

Autor: Sergey Bytkin, Tatyana Kritskaya

Publikováno v: Modern Problems of Metalurgy. 1:13-21

Возможность использования nSiGe (Si) для повышения радиационной стойкости многослойных npn, npnp структур может быть подтверждена только изго�

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::489f2ce12366d894c3db05f547289c6d
https://doi.org/10.34185/1991-7848.2019.01.02

Zobrazit plný text záznamu

Perspective semiconductor materials for the using in the power electronics

Autor: Sergey Bytkin, Tatyana Kritskaya

Publikováno v: Вісник Національного технічного університету «ХПІ». Серія: Нові рішення у сучасних технологіях; Том 1, № 26(1302) (2018): Вісник НТУ «ХПІ»: Серія "Нові рішення у сучасних технологіях"; 148-161
Вестник Национального Технического Университета "ХПИ" Серия Новые решения в современных технологиях; Том 1, № 26(1302) (2018): ; 148-161
Bulletin of the National Technical University «KhPI» Series: New solutions in modern technologies; Том 1, № 26(1302) (2018): NTU "KhPI" Bulletin: Series "New Solutions in Modern Technologies"; 148-161

Технології високотемпературних і радіаційно стійких силових напівпровідникових приладів (СНП) використовують структури на основі SiC, Ga

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::719c74bd8a77a2226eb53260e757a5c2
http://vestnik2079-5459.khpi.edu.ua/article/view/2413-4295.2018.26.21

Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání