Výsledky vyhledávání - "Sergeeva, O. N."

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Dielectric and Pyroelectric Properties of Composites Based on Aluminum and Gallium Nitrides Grown by Chloride-Hydride Epitaxy on a Silicon Carbide-on-Silicon Substrate.

Autor: Solnyshkin, A.V.¹ (AUTHOR), Sergeeva, O. N.¹ (AUTHOR) o_n_sergeeva@mail.ru, Shustova, O. A.¹ (AUTHOR), Sharofidinov, Sh. Sh.^2,3 (AUTHOR), Staritsyn, M. V.⁴ (AUTHOR), Kaptelov, E. Yu.² (AUTHOR), Kukushkin, S. A.³ (AUTHOR), Pronin, I. P.² (AUTHOR)

Publikováno v: Technical Physics Letters. Jun2021, Vol. 47 Issue 6, p466-469. 4p.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Structure and properties of composites based on aluminum and gallium nitrides grown on silicon of different orientations with a buffer layer of silicon carbide

Autor: null Pronin I. P., null Kaptelov E. Yu., null Sergeeva O. N., null Solnyshkin A. V., null Staritsyn M. V., null Kukushkin S. A., null Sharofidinov Sh. Sh.

Publikováno v: Physics of the Solid State. 64:516

The microstructure and pyroelectric properties of AlxGa1-xN composite epitaxial layers grown on SiC/Si(111) and SiC/Si(110) hybrid substrates by the chloride-hydride epitaxy have been studied. The phenomenon of spontaneous formation of a system of he

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::bcb56c89cd6950d31dfdf8dcc35878f7
https://doi.org/10.21883/pss.2022.05.53510.250

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Microstructure and electrical properties of thin SiC films on Si substrates of p- and n-types

Autor: Sergeeva, O. N., Solnyshkin, A. V., Nekrasova, G. M., Senkevich, S. V., Pronin, I. P., Kukushkin, S. A.

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______917::824b4ebb584993e8450b1742fe439b9d
https://hdl.handle.net/10995/80720

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání