Zobrazeno 1 - 10
of 102
pro vyhledávání: '"Serenkov, I. T."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Serenkov, I. T.1 (AUTHOR) r.ilin@mail.ioffe.ru, Sakharov, V. I.1 (AUTHOR)
Publikováno v:
Technical Physics. Jan2021, Vol. 66 Issue 1, p155-160. 6p.
Autor:
Aurino, P. P., Kalabukhov, A., Tuzla, N., Olsson, E., Klein, Andreas, Erhart, P., Boikov, Y. A., Serenkov, I. T., Sakharov, V. I., Claeson, T., Winkler, D.
The conducting state of a quasi-two-dimensional electron gas (q2DEG), formed at the heterointerface between the two wide-bandgap insulators LaAlO₃ (LAO) and SrTiO₃, can be made completely insulating by low-energy, 150-eV, Ar⁺ irradiation. The m
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::309639c3461f55e8d6733f69da445544
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
null Serenkov I. T., null Sakharov V. I., null Shek E. I., null Shtel`makh K. F., null Kalyadin A.E., null Sobolev N. A.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:390
Effect of the pump power on the photoluminescence intensity for dislocation-related luminescence centers is studied in p-type silicon containing oxygen precipitates. Oxygen precipitates are induced as a result of three-stage annealing used for format
Autor:
null Sherstnev E. V., null Filimonov V. V., null Serenkov I. T., null Sakharov V. I., null Nikolaev A. V., null Zabrodskii V. V., null Blokhin A. A., null Belik V. P., null Aruev P. N.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 48:3
An avalanche silicon photodiode has been developed for the near IR, visible, UV and VUV light ranges. The external quantum efficiency has been studied in the 114-170 and 210-1100 nm ranges. It has been demonstrated that the avalanche photodiode reach
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.