Zobrazeno 1 - 8
of 8
pro vyhledávání: '"Seppänen, Heli"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Silicon radiation and particle detectors are traditionally passivated with thermal silicon dioxide. It has been shown that aluminium oxide (Al2O3) films provide better surface passivation due to their high negative charge, but studies on Al2O3 surfac
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______661::bb56d0e1c4c062611d290fa5a45c6385
https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/43114
https://aaltodoc.aalto.fi/handle/123456789/43114
Autor:
Seppänen, Heli, Kim, Iurii, Etula, Jarkko, Ubyivovk, Evgeniy, Buravlev, Alexey, Lipsanen, Harri
Publikováno v:
Materials, Vol 12, Iss 3, p 406 (2019)
Materials
Volume 12
Issue 3
Materials
Volume 12
Issue 3
Aluminum nitride (AlN) films have been grown using novel technological approaches based on plasma-enhanced atomic layer deposition (PEALD) and in situ atomic layer annealing (ALA). The growth of AlN layers was carried out on Si<
100>
an
100>
an
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.