Zobrazeno 1 - 10
of 165
pro vyhledávání: '"Senz, V."'
Autor:
Leturcq, R., L'Hote, D., Tourbot, R., Senz, V., Gennser, U., Ihn, T., Ensslin, K., Dehlinger, G., Grützmacher, D.
We study the resistivity vs. electric field dependence $\rho(E)$ of a 2D hole system in SiGe close to the B=0 metal-insulator transition. Using $\rho$ as a ``thermometer'' to obtain the effective temperature of the holes $T_e(E)$, we find that the $\
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0107457
Autor:
Senz, V., Ihn, T., Heinzel, T., Ensslin, K., Dehlinger, G., Grützmacher, D., Gennser, U., Hwang, E. H., Sarma, S. Das
The temperature dependence of a system exhibiting a `metal-insulator transition in two dimensions at zero magnetic field' (MIT) is studied up to 90K. Using a classical scattering model we are able to simulate the non-monotonic temperature dependence
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0107369
Autor:
Senz, V., Heinzel, T., Ihn, T., Lindemann, S., Held, R., Ensslin, K., Wegscheider, W., Bichler, M.
Publikováno v:
J.Phys.Cond.Mat.13,3831(2001)
The temperature dependence of the conductance of a quantum point contact has been measured. The conductance as a function of the Fermi energy shows temperature-independent fixed points, located at roughly multiple integers of $e^{2}/h$. Around the fi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0012205
Publikováno v:
Phys. Rev. Lett., Vol. 85 No. 20, p.4357, Nov 2000
We find that temperature dependent screening can quantitatively explain the metallic behaviour of the resistivity on the metallic side of the so-called metal-insulator transition in p-SiGe. Interference and interaction effects exhibit the usual insul
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0004312
Publikováno v:
Phys.Rev.B 61, R5082 (2000)
Magnetoresistivity measurements on p-type Si/SiGe quantum wells reveal the coexistence of a metallic behavior and weak localization. Deep in the metallic regime, pronounced weak localization reduces the metallic behavior around zero magnetic field wi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9910228
Autor:
Senz, V., Doetsch, U., Gennser, U., Ihn, T., Heinzel, T., Ensslin, K., Hartmann, R., Gruetzmacher, D.
Publikováno v:
Annalen d. Physik, 8, Special Issue, 237-240, 1999
The low-temperature resistivity of a SiGe 2-dimensional hole gas has been studied using the gate controlled carrier density as a parameter. A metal-insulator transition is seen both in the temperature and in the electric field behaviour. Values of 1
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/9903367
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.