Výsledky vyhledávání - "Senaratne, C. L."

Report

Compositional dependence of the direct and indirect band gaps in $\text{Ge}_{1-y}\text{Sn}_{y}$ alloys from room temperature photoluminescence

Autor: Jiang, L., Gallagher, J. D., Senaratne, C. L., Aoki, T., Mathews, J., Kouvetakis, J., Menéndez, J.

The compositional dependence of the lowest direct and indirect band gaps in $\text{Ge}_{1-y}\text{Sn}_{y}$ has been determined from room-temperature photoluminescence measurements. This technique is particularly attractive for a comparison of the two

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1406.0448

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Direct bandgap cross-over point of Ge1-ySny grown on Si estimated through temperature-dependent photoluminescence studies.

Autor: Harris, Thomas R., Mee-Yi Ryu, Yung Kee Yeo, Buguo Wang, Senaratne, C. L., Kouvetakis, John

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 8/28/2016, Vol. 120 Issue 8, p085706-1-085706-8, 8p, 1 Chart, 5 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Direct gap Ge1-ySny alloys: Fabrication and design of mid-IR photodiodes.

Autor: Senaratne, C. L., Wallace, P. M., Gallagher, J. D., Sims, P. E., Kouvetakis, J., Menéndez, J.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 120 Issue 2, p025701-1-025701-9, 9p, 2 Diagrams, 7 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Ge1–x–ySixSny light emitting diodes on silicon for mid-infrared photonic applications.

Autor: Gallagher, J. D., Xu, C., Senaratne, C. L., Aoki, T., Wallace, P. M., Kouvetakis, J., Menéndez, J.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/7/2015, Vol. 118 Issue 13, p135701-1-135701-6, 6p, 1 Diagram, 5 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Non-radiative recombination in Ge1-ySny light emitting diodes: The role of strain relaxation in tuned heterostructure designs.

Autor: Gallagher, J. D., Senaratne, C. L., Xu, C., Sims, P., Aoki, T., Smith, D. J., Menéndez, J., Kouvetakis, J.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/28/2015, Vol. 117 Issue 24, p245704-1-245704-10, 10p, 3 Diagrams, 1 Chart, 9 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Ge1-ySny (y = 0.01-0.10) alloys on Ge-buffered Si: Synthesis, microstructure, and optical properties.

Autor: Senaratne, C. L., Gallagher, J. D., Liying Jiang, Toshihiro Aoki, Smith, D. J., Menéndez, J., Kouvetakis, J.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2014, Vol. 116 Issue 13, p133509-1-133509-10, 10p, 1 Color Photograph, 2 Black and White Photographs, 8 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání