Zobrazeno 1 - 10
of 189
pro vyhledávání: '"Semyagin, B. R."'
Autor:
Semyagin, B. R.1 (AUTHOR), Kolesnikov, A. V.1 (AUTHOR), Putyato, M. A.1 (AUTHOR), Preobrazhenskii, V. V.1 (AUTHOR), Popova, T. B.2 (AUTHOR), Ushanov, V. I.2 (AUTHOR), Chaldyshev, V. V.2 (AUTHOR) chald.gvg@mail.ioffe.ru
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2023, Vol. 57 Issue 9, p405-409. 5p.
Autor:
Kononov, A., Kostarev, V. A., Semyagin, B. R., Preobrazhenskii, V. V., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Deviatov, E. V.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 96, 245304 (2017)
We experimentally investigate Andreev transport through the interface between an indium superconductor and the edge of the InAs/GaSb bilayer. To cover all possible regimes of InAs/GaSb spectrum, we study samples with 10 nm, 12 nm, and 14 nm thick InA
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1710.11375
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kononov, A., Egorov, S. V., Titova, N., Semyagin, B. R., Preobrazhenskii, V. V., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Deviatov, E. V.
Publikováno v:
JETP Letters, 105, 508 (2017)
We investigate charge transport through the junction between a niobium superconductor and the edge of a two-dimensional electron-hole bilayer, realized in an InAs/GaSb double quantum well. For the transparent interface with a superconductor, we demon
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1610.07792
Autor:
Kononov, A., Egorov, S. V., Kostarev, V. A., Semyagin, B. R., Preobrazhenskii, V. V., Putyato, M. A., Emelyanov, E. A., Deviatov, E. V.
Publikováno v:
JETP Letters, 104, 26 (2016)
We experimentally investigate transport through the side junction between a niobium superconductor and the mesa edge of a two-dimensional system, realized in an InAs/GaSb double quantum well with band inversion. We demonstrate, that different transpo
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1605.08539
Autor:
null Preobrazhenskii V. V., null Putyato M. A., null Vasev A. V., null Semyagin B. R., null Gavrilova T. A., null Spirina A. A., null Nastovjak A. G., null Petrushkov M. O., null Del’ T. A., null Emelyanov E. A.
Publikováno v:
Technical Physics Letters. 49:26
Structures with arrays of planar and tilted quasi-one-dimensional GaAs nanocrystals have been grown on GaAs(001) substrates. An epitaxial silicon layer oxidized in air was used as a passivation coating. The amount of silicon deposited varied from str
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::7f5324cacfb4c57d9371d81c53e67b4d
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.02.55366.19334
https://doi.org/10.21883/tpl.2023.02.55366.19334
Autor:
Rubtsova, N. N., Kovalyov, A. A., Ledovskikh, D. V., Preobrazhenskii, V. V., Putyato, M. A., Semyagin, B. R.
Publikováno v:
Optoelectronics Instrumentation & Data Processing; Dec2022, Vol. 58 Issue 6, p579-583, 5p
Autor:
null Chaldyshev V. V., null Ushanov V. I., null Popova T. B., null Preobrazhenskii V. V., null Putyato M. A., null Kolesnikov A. V., null Semyagin B. R.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:215
By molecular-beam epitaxy we have grown epitaxial layers of GaAs1-xBix solid solutions with a bismuth content of 0
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::81e93d84fdf8ef73f9c884bd2a781efe
https://doi.org/10.21883/sc.2022.03.53057.9764
https://doi.org/10.21883/sc.2022.03.53057.9764
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.