Zobrazeno 1 - 10
of 367
pro vyhledávání: '"Semiconductor physics"'
Publikováno v:
Journal of Hebei University of Science and Technology, Vol 45, Iss 2, Pp 141-149 (2024)
In order to solve the problems of low absorption efficiency and small frequency range of traditional terahertz (THz) detectors, a broadband terahertz metasurface pyroelectric detector was proposed by combining a dual metasurface absorption array stru
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/aae484ffecb843d6873579248991862e
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Atterstig, Jimmy
Power-efficient circuits are a vital step in moving towards a greener future. Battery life can get substantially improved by decreasing the amount of power a circuit needs. Lower power also leads to less excess heat generated. Electronics are within
Externí odkaz:
http://urn.kb.se/resolve?urn=urn:nbn:se:ltu:diva-104616
Autor:
Vikne, Martin Schønning
Publikováno v:
Vikne, Martin Schønning. TEM Characterization of ZnOxNy for Tandem Solar Cell Applications. Master thesis, University of Oslo, 2022
Externí odkaz:
http://hdl.handle.net/10852/95385
https://www.duo.uio.no/bitstream/handle/10852/95385/5/Martin_Sch-nning_Vikne_Master_thesis.pdf
https://www.duo.uio.no/bitstream/handle/10852/95385/5/Martin_Sch-nning_Vikne_Master_thesis.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kolanoski, Hermann, author, Wermes, Norbert, author
Publikováno v:
Particle Detectors : Fundamentals and Applications, 2020, ill.
Externí odkaz:
https://doi.org/10.1093/oso/9780198858362.003.0008
Autor:
Gor’kov, Lev P.
Publikováno v:
Proceedings of the National Academy of Sciences of the United States of America, 2016 Apr . 113(17), 4646-4651.
Externí odkaz:
https://www.jstor.org/stable/26469403
81–102, 2019) describes an efficient and accurate solver for nanoscale DG MOSFETs through a deterministic Boltzmann-Schrödinger-Poisson model with seven electron–phonon scattering mechanisms on a hybrid parallel CPU/GPU platform. The transport c
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::c513e21131757deefb0ccc6403b477ae
https://hdl.handle.net/10481/81597
https://hdl.handle.net/10481/81597
Autor:
Latyshev, A.V. (AUTHOR), Veselova, E.Sh. (AUTHOR)
Publikováno v:
Problems of Economic Transition. 2017, Vol. 59 Issue 1-3, p113-122. 10p.