Zobrazeno 1 - 10
of 507
pro vyhledávání: '"Semiconductor device models"'
Publikováno v:
IET Microwaves, Antennas & Propagation, Vol 18, Iss 11, Pp 849-859 (2024)
Abstract This work presents the effect of temperature change on the capacitance of silicon PIN diodes and the resulting change in performance of RF limiters at very high frequency (VHF). Device temperatures were varied between −25 ºC and 100 ºC,
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4980a546d7d449e09e8bb6ef3bc9c781
Publikováno v:
Electronics Letters, Vol 60, Iss 18, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract The data‐driven machine learning technology used for neural decoding emphasizes the requirements of in vivo and in vitro neural signal acquisition with high spatial and temporal resolution. However, micro‐electrode arrays (MEAs) that sim
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a3aa2bb0f5844a30ab100b9f9dc8366b
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IET Circuits, Devices and Systems, Vol 15, Iss 5, Pp 424-433 (2021)
Abstract The interface trap charges (ITC) associated reliability analysis of a charge‐plasma based asymmetric double‐gate (ADG) dopingless tunnel field effect transistor (DLTFET) with Si/Ge heterojunction and high‐κ gate dielectric (HJADGDLTFE
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/beb5ae401c14460dad9e5b7eaa33783a
Publikováno v:
IET Circuits, Devices and Systems, Vol 15, Iss 3, Pp 251-259 (2021)
Abstract This article compares the major characteristics of the Insulated Gate Bipolar Transistor with Diffusion Carrier Stored (CS) layer (DCS‐IGBT) and the Insulated Gate Bipolar Transistor with the Buried CS layer (BCS‐IGBT). In the DCS‐IGBT
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ed8bb2ec2f9f4f59a6da75c885274b7a
Autor:
Ria Bose, Jatindra Nath Roy
Publikováno v:
IET Circuits, Devices and Systems, Vol 15, Iss 1, Pp 11-19 (2021)
Abstract In this study, the authors propose a work function engineered (WFE) triple metal (TM) tunnel field‐effect transistor (TFET) device, which exhibits lower subthreshold slope (SS) and better on to off current ratio in comparison with conventi
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1c50e93b04fe42cdb74801e699649923
Publikováno v:
The Journal of Engineering (2019)
GaN device is a potential alternative to SiC as a wide band gap device. At present, there are almost no high-voltage GaN devices above 650 V, which makes an inverter design difficult for three-phase input using the standard two-level (2L) inverters.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/01e45f12e6614647ade1e6fcaaeaa32c
Publikováno v:
The Journal of Engineering (2019)
The clamping force is the most important parameter of Press Pack IGBTs (PP IGBTs) as it not only affects the electrical, thermal, and mechanical characteristic, but also the long lifetime reliability. Too little clamping force increases the contact r
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c148379b99794076bf0329c54d83f031
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.