Zobrazeno 1 - 10
of 61
pro vyhledávání: '"Semiconductor device characterization"'
Autor:
Yi Tai Chen, Bo Hong Lin, Ssu Han Lu, Zi Wei Li, Yu Sheng Tsai, Tai Ping Sun, YewChung Sermon Wu, Hsiang Chen
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 19, Iss , Pp 103432- (2020)
Reliability investigations were conducted after GaN-based LEDs were stressed in seawater vapour. Multiple electrical, optical, and material analyses on the fine nanostructures of the LED were examined. Results indicate that dark spots on the surface
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/9766ce844a884a998948cfc3f921c878
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yu Sheng Tsai, Hsiang Chen, YewChung Sermon Wu, Bo Hong Lin, Ssu Han Lu, Tai Ping Sun, Zi Wei Li, Yi Tai Chen
Publikováno v:
Results in Physics, Vol 19, Iss, Pp 103432-(2020)
Reliability investigations were conducted after GaN-based LEDs were stressed in seawater vapour. Multiple electrical, optical, and material analyses on the fine nanostructures of the LED were examined. Results indicate that dark spots on the surface
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::89570e2f1ac5dd69789f1af834b8c8ae
https://doi.org/10.1016/j.rinp.2020.103432
https://doi.org/10.1016/j.rinp.2020.103432
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
D'Esposito, Rosario
Ce travail de thèse présente une étude concernant la caractérisation des effets électrothermiques dans les transistors bipolaires à hétérojonction (HBT) en SiGe. Lors de ces travaux, deux procédés technologiques BiCMOS à l’état de l’a
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2016BORD0147/document
Publikováno v:
Semiconductor Science and Technology. 21:13-18
An electrical and thermal study of submicron GaN multi-finger permeable base transistors (PBTs) is presented. Carrier transport in the intrinsic finger is studied with drift-diffusion and energy balance models, validated against ensemble Monte Carlo
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::028edf202d22cfcd47c90fbe1ed13df1
https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/1/003
https://doi.org/10.1088/0268-1242/21/1/003