Zobrazeno 1 - 10
of 15 142
pro vyhledávání: '"Semiconductor Device Modeling"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Wang, Zeheng, Li, Liang, Leon, Ross C. C., Yang, Jinlin, Shi, Junjie, van der Laan, Timothy, Usman, Muhammad
The semiconductors industry benefits greatly from the integration of Machine Learning (ML)-based techniques in Technology Computer-Aided Design (TCAD) methods. The performance of ML models however relies heavily on the quality and quantity of trainin
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.11453
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Takayuki Fukui, Nobuyuki Sano
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 68:5394-5399
We discuss the theoretical basis of the Boltzmann transport equation (BTE) and the Monte Carlo (MC) simulation scheme to take into account the discrete nature of impurities in semiconductor substrates. This is achieved by explicitly considering the s
Autor:
Wang, Zeheng, Li, Liang, Leon, Ross C. C., Yang, Jinlin, Shi, Junjie, van der Laan, Timothy, Usman, Muhammad
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; January 2024, Vol. 71 Issue: 1 p263-271, 9p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 67(8):3323-3328
We discuss the fundamental aspects of how discrete impurities could be physically modeled under the framework of the drift–diffusion (DD) simulations. The detailed physical interpretations of potential fluctuations, impurity-limited mobility, and a
Publikováno v:
VLSI and Hardware Implementations Using Modern Machine Learning Methods ISBN: 9781003201038
VLSI and Hardware Implementations Using Modern Machine Learning Methods
VLSI and Hardware Implementations Using Modern Machine Learning Methods
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::54b1f277b5d37c537693fc5805a1d4b0
https://doi.org/10.1201/9781003201038-9
https://doi.org/10.1201/9781003201038-9