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pro vyhledávání: '"Semiconducteur à grand gap"'
Publikováno v:
Symposium de Génie Electrique 2021
Symposium de Génie Electrique 2021, Jul 2021, Nantes, France
HAL
Symposium de Génie Electrique 2021, Jul 2021, Nantes, France
HAL
International audience; Dans cet article, nous présentons une technique de contrôle actif de grille pour maitriser la vitesse de commutation de transistors de puissance à semi-conducteur grand-gap. Un circuit de commande rapprochée innovant, perm
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::3ec0de0825a94f7b510a836ea2b663cd
https://hal.science/hal-02966771
https://hal.science/hal-02966771
Autor:
Robutel, Rémi
Les travaux présentés dans ce manuscrit sont dédiés à l'étude des composants passifs pour l'électronique de puissance à haute température. Des condensateurs et des matériaux magnétiques sont sélectionnés et caractérisés jusqu'à enviro
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2011ISAL0110/document
Autor:
Robutel , Rémi
Publikováno v:
Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. 〈NNT : 2011ISAL0110〉
Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. ⟨NNT : 2011ISAL0110⟩
Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. ⟨NNT : 2011ISAL0110⟩
The study, which is described in this dissertation, is dedicated to passive components in order to be integrated into high temperature power electronic converters. Capacitors and magnetic materials are selected and characterized up to 250°C. Electri
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::be306ef8f409bfe14fc46fdb417d1c70
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00665819
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00665819
Autor:
Huang, Runhua
Les composants actifs en électronique de puissance sont principalement à base de Silicium. Or, le silicium a des limites en termes de température d’utilisation, fréquence de commutation et de tenue en tension. Une alternative au Si peut être l
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2011ISAL0096/document
Autor:
Huang , Runhua
Publikováno v:
Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. ⟨NNT : 2011ISAL0096⟩
Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. 〈NNT : 2011ISAL0096〉
Autre. INSA de Lyon, 2011. Français. 〈NNT : 2011ISAL0096〉
The power devices are mainly based on silicon. Silicon devices have limitations in terms of operating temperature, switching frequency and breakdown voltage. An alternative can be semiconductor wide band gap devices such as 4H-SiC. Through the work o
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::9176950a8d080acc30c3a273972d7291
https://theses.hal.science/tel-00708553
https://theses.hal.science/tel-00708553