Zobrazeno 1 - 6
of 6
pro vyhledávání: '"Semavedam, S."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Hsing-Huang Tseng, Tobin, Philip J., Kalpat, Sriram, Schaeffer, Jamie K., Ramón, Michael E., Fonseca, Leonardo R. C., Jiang, Zhixiong X., Hegde, R. I., Triyoso, Dina H., Semavedam, S.
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices; Dec2007, Vol. 54 Issue 12, p3267-3275, 9p, 7 Black and White Photographs, 24 Graphs
Electrical Characteristics of the Uniaxial-Strained nMOSFET with a Fluorinated HfO2 /SiON Gate Stack.
Autor:
Yung-Yu Chen1 yungyu@mail.lhu.edu.tw
Publikováno v:
Materials (1996-1944). Mar2014, Vol. 7 Issue 3, p2370-2381. 12p.
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science & Technology; 2018, Vol. 7 Issue 3, pQ26-Q32, 7p
Autor:
Wang, Xing1 xwangsme@xidian.edu.cn, Liu, Hongxia1 hxliu@mail.xidian.edu.cn, Zhao, Lu1, Wang, Yongte1
Publikováno v:
Materials (1996-1944). Sep2018, Vol. 11 Issue 9, p1601. 1p. 1 Diagram, 2 Charts, 4 Graphs.
Can we optimize the gate oxide quality of DRAM input/output pMOSFETs by a post-deposition treatment?
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; Jan2019, Vol. 34 Issue 1, p1-1, 1p