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pro vyhledávání: '"Selektives Ätzen"'
Publikováno v:
Materials Science and Engineering: B. 44:96-100
The cross-section of Ga(Al,In)As/GaAs heterostructures has been investigated by selective wet etching using citric acid/hydrogen peroxide (C 6 H 8 O 7 :H 2 O 2 ), NaOCl, HCl and diluted CrO 3 -HF solutions. Composition and doping variation were trans
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::14bd355533fa4a4754b60a262de7139d
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(97)80006-2
https://doi.org/10.1016/s0921-5107(97)80006-2
Autor:
Letzkus, Florian
In der vorliegenden Dissertation wurden neuartige Membran- und Struktur-Ätzprozesse für Loch-masken (Stencilmasken) und Si- bzw. Si3N4-Membranmasken mit strukturiertem Al-Metallabsorber entwickelt. Prozesse von grundsätzlicher Bedeutung für die H
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::3e2ce0503c5ab7a108960b4439fe9a7e
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6535
http://elib.uni-stuttgart.de/handle/11682/6535
Autor:
Kunstmann, Thorsten
Ziel der vorliegenden Studie war es die Auswirkungen der Etch-and-Rinse-Technik auf die Randqualität von Kompositfüllungen bei Anwendung des selbstätzenden Bondingsystems Adper Easy Bond zu untersuchen. An 64 extrahierten menschlichen Molaren wurd
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2091::eb6fbacbc170bd3daa6b252571ae541e
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/files/1813/ThorstenKunstmannDissertation.pdf
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Autor:
Knoke, Isabel
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit der Untersuchung der Mikrostruktur von Galliumnitrid (GaN) Schichten aus der Niederdrucklösungszüchtung, einer Flüssigphasenepitaxie Methode. Die GaN-Schichten werden auf einer GaN-Keimschicht, die mitt
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2091::b483bafa1062b0953ce0deb418a313b9
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/frontdoor/index/index/docId/937
https://opus4.kobv.de/opus4-fau/frontdoor/index/index/docId/937
Autor:
Oberhoff, Stefan
Die Zielsetzung dieser Arbeit bestand darin, Strukturbildungsprozesse in verdünnt stickstoffhaltigen III/V-basierten Materialsystemen aufzuklären, wobei mit Hilfe von hochselektiven Ätzverfahren innere Grenzflächen freigelegt und rasterkraftmikro
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::52295bfb3b91dd0d8605e228738d7b75
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0070
http://archiv.ub.uni-marburg.de/diss/z2008/0070
Autor:
Katsaros, Georgios
In this work self-assembled Ge islands grown on Si(001) are investigated by means of selective wet chemical etching and scanning probe microscopy.By means of selective wet chemical etching and atomic force microscopy the compositional profile of free
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______715::b98310f3434cdf8caa7f039c6148fe8f
Autor:
Letzkus, Florian
Stuttgart, Univ., Diss., 2003.
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http://www.bsz-bw.de/cgi-bin/xvms.cgi?SWB10790755