Zobrazeno 1 - 10
of 84
pro vyhledávání: '"Seisyan, R. P."'
Autor:
Zaitsev, D. A., Ilinskaya, N. D., Koudinov, A. V., Poletaev, N. K., Egorov, A. Yu., Kavokin, A. V., Seisyan, R. P.
Comparative studies of the resonant transmission of light in the vicinity of exciton resonances, measured for 15 few-micron GaAs crystal slabs with different impurity concentrations $N$, reveal an unexpected tendency. While $N$ spans almost five deci
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1501.02676
Autor:
Seisyan, R. P.1 (AUTHOR), Vaganov, S. A.1 (AUTHOR) sv.exciton@mail.ioffe.ru
Publikováno v:
Semiconductors. Apr2020, Vol. 54 Issue 4, p399-402. 4p.
Autor:
Yakushev, M. V., Rodina, A. V., Seisyan, R. P., Kitaev, Yu. E., Vaganov, S. A., Abdullaev, M. A., Mudryi, A. V., Kuznetsova, T. V., Faugeras, C., Martin, R. W.
Magnetotransmission (MT) at magnetic fields up to 29 T was used to study the electronic structure of CuInSe2 in thin polycrystalline films. The zero field absorption spectra exhibited resolved A, B, and C free excitons. Quantum oscillations, due to d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=core_ac_uk__::ba8f4d44a0f34d00e79d088d38408bdb
https://strathprints.strath.ac.uk/71034/1/Yakushev_etal_PRB_2019_Electronic_energy_band_parameters_of_CuInSe2_landau_levels.pdf
https://strathprints.strath.ac.uk/71034/1/Yakushev_etal_PRB_2019_Electronic_energy_band_parameters_of_CuInSe2_landau_levels.pdf
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yakushev, M. V., Rodina, A. V., Seisyan, R. P., Kitaev, Y. E., Vaganov, S. A., Abdullaev, M. A., Mudryi, A. V., Kuznetsova, T. V., Faugeras, C., Martin, R. W.
Publikováno v:
Phys. Rev. B
Physical Review B
Physical Review B
Magnetotransmission (MT) at magnetic fields up to 29 T was used to study the electronic structure of CuInSe2 in thin polycrystalline films. The zero field absorption spectra exhibited resolved A, B, and C free excitons. Quantum oscillations, due to d
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______917::93c0f12fdae8a9e07c3e0bf706caeaa2
https://hdl.handle.net/10995/101608
https://hdl.handle.net/10995/101608
Autor:
Markosov, M. S.1 Aisor@mail.ru, Seisyan, R. P.1
Publikováno v:
Semiconductors. May2009, Vol. 43 Issue 5, p629-634. 6p. 5 Graphs.
Autor:
Seisyan, R. P.1 rseis@ffm.ioffe.ru
Publikováno v:
Technical Physics. May2005, Vol. 50 Issue 5, p535-545. 11p.
Publikováno v:
Semiconductors. Feb2004, Vol. 38 Issue 2, p225-231. 7p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.