Zobrazeno 1 - 10 of 39 pro vyhledávání: '"Seidel, T. E."'
1
Akademický článek
Zn gettering in InGaAs/InP interfaces.
Autor: Geva, M., Seidel, T. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 4/1/1986, Vol. 59 Issue 7, p2408, 8p, 1 Chart, 5 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Rapid thermal annealing of dopants implanted into preamorphized silicon.
Autor: Seidel, T. E., Knoell, R., Poli, G., Schwartz, B., Stevie, F. A., Chu, P.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/15/1985, Vol. 58 Issue 2, p683, 5p, 1 Black and White Photograph, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Temperature transients in heavily doped and undoped silicon using rapid thermal annealing.
Autor: Seidel, T. E., Lischner, D. J., Pai, C. S., Lau, S. S.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2/15/1985, Vol. 57 Issue 4, p1317, 5p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Formation of p-n junctions and Ohmic contacts at laser processed Pt-Si surface layers.
Autor: Doherty, C. J., Seidel, T. E., Leamy, H. J., Celler, G. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1980, Vol. 51 Issue 5, p2718-2721, 4p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
The redistribution of implanted dopants after metal-silicide formation.
Autor: Wittmer, M., Seidel, T. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec1978, Vol. 49 Issue 12, p5827-5834, 8p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Comparative study of annealed neon-, argon-, and krypton-ion implantation damage in silicon.
Autor: Cullis, A. G., Seidel, T. E., Meek, R. L.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Oct1978, Vol. 49 Issue 10, p5188-5198, 11p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Electron-beam-induced current and TEM studies of stacking faults formed by the oxidation of boron-implanted silicon.
Autor: Seidel, T. E., Haszko, S. E., Maher, D. M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Dec1977, Vol. 48 Issue 12, p5038-5042, 5p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Dependence of residual damage on temperature during Ar+ sputter cleaning of silicon.
Autor: Bean, J. C., Becker, G. E., Petroff, P. M., Seidel, T. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Mar1977, Vol. 48 Issue 3, p907-913, 7p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Direct comparison of ion-damage gettering and phosphorus-diffusion gettering of Au in Si.
Autor: Seidel, T. E., Meek, R. L., Cullis, A. G.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Feb1975, Vol. 46 Issue 2, p600-609, 10p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Conduction Bands in GaSb-InSb Alloys.
Autor: Kudman, I., Seidel, T. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Oct1967, Vol. 38 Issue 11, p4379-4382, 4p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje