Zobrazeno 1 - 10
of 193
pro vyhledávání: '"Segura Jaume"'
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science, vol. 61, no. 4, pp. 1849-1855, Aug. 2014
Experimental results from a 65 nm CMOS commercial technology SRAM test chip reveal a linear correlation between a new electrical parameter -- the word-line voltage margin (VWLVM) -- and the measured circuit alpha-SER. Additional experiments show that
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.10917
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Single Event Upsets characterization of 65 nm CMOS 6T and 8T SRAM cells for ground level environment
Publikováno v:
In Microelectronics Reliability July 2020 110
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
In Solid State Electronics September 2015 111:104-110
Publikováno v:
In Microelectronics Journal May 2015 46(5):398-403
Autor:
Bota Sebastià A., Verd Jaume, Gili Xavier, Barceló Joan, Torrens Gabriel, Perelló Rafel, Alorda Tomeu, de Benito Carol, Segura Jaume
Publikováno v:
MATEC Web of Conferences, Vol 210, p 01005 (2018)
We analyze the design constraints of six transistor SRAM cells that arise when using nanoelectromechanical relays. Comparisons are performed between a CMOS 6T conventional SRAM cell and various hybrid memory cells built by replacing a selection of MO
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1959e12950c743e0b60ba0bf16d15390