Zobrazeno 1 - 10
of 323
pro vyhledávání: '"Segatto, M."'
Autor:
Fontanini, R., Segatto, M., Nair, K. S., Holzer, M., Driussi, F., Häusler, I., Koch, C. T., Dubourdieu, C., Deshpande, V., Esseni, D.
In this work, we present a clear evidence, based on numerical simulations and experiments, that the polarization compensation due to trapped charge strongly influences the ON/ OFF ratio in Hf 0.5 Zr 0.5 O 2 (HZO)-based ferroelectric tunnel junctions
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.01486
Autor:
Barbot, J., Fontanini, R., Segatto, M., Coignus, J., Triozon, F., Carabasse, C., Bedjaoui, M., Andrieu, F., Esseni, D., Grenouillet, L.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 12/7/2023, Vol. 134 Issue 21, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Fontanini, R., Barbot, J., Segatto, M., Lancaster, S., Duong, Q., Driussi, F., Grenouillet, L., Triozon, F., Coignus, J., Mikolajick, T., Slesazeck, S., Esseni, D.
Publikováno v:
ESSDERC 2021 - IEEE 51st European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC).
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.