Zobrazeno 1 - 10
of 76
pro vyhledávání: '"Sciana, P."'
Publikováno v:
Advances in Electrical and Electronic Engineering, Vol 19, Iss 4, Pp 350-354 (2021)
Quantum cascade lasers are sophisticated devices mostly based on InGaAs/AlInAs/InP heterostructures to improve thermal performance. Their structure consists of a core containing hundreds or even thousands of thin layers, covered on both sides with th
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d5bf68f18aa9416fbbdd34343fa0e334
Autor:
Petra Urbancova, Dusan Pudis, Matej Goraus, Lubos Suslik, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Jaroslav Kovac jr., Jaroslava Skriniarova
Publikováno v:
Advances in Electrical and Electronic Engineering, Vol 17, Iss 3, Pp 367-373 (2019)
We present a new technique for modification of diffraction and optical properties of photonic devices by surface application of polymer Three-Dimensional (3D) woodpile Photonic Crystal (PhC) structure. Woodpile structure based on IP-Dip polymer was d
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/83aa6ddfa4cd4bf5a4d0d649f4d94287
Autor:
Katarzyna Bielak, Damian Pucicki, Wojciech Dawidowski, Mikolaj Badura, Beata Sciana, Marek Tlaczala
Publikováno v:
Advances in Electrical and Electronic Engineering, Vol 16, Iss 3, Pp 374-379 (2018)
The inhomogeneities of multicomponent semiconductor alloys, as well as phase segregation, can be utilized for enhancement of photodetector absorption properties and thus its efficiency. In this paper, the influence of external electric field on the p
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/60d21c45818e49639e1d0edc0fc562ed
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Arpad Kosa, Lubica Stuchlikova, Ladislav Harmatha, Jaroslav Kovac, Beata Sciana, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
Publikováno v:
Advances in Electrical and Electronic Engineering, Vol 15, Iss 1, Pp 114-119 (2017)
This paper discusses results of electrically active defect states - deep energy level analysis in InGaAs and GaAsN undoped semiconductor structures grown for solar cell applications. Main attention is focused on composition and growth condition depen
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1746e21a614e47c39cf9bf9180bcfa20
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Jakub Rybar, Lubica Stuchlikova, Ladislav Harmatha, Juraj Jakus, Jaroslav Kovac, Beata Sciana, Damian Radziewicz, Damian Pucicki, Wojciech Dawidowski, Marek Tlaczala
Publikováno v:
Communications, Vol 16, Iss 1, Pp 10-14 (2014)
The paper presents an in-depth DLTS characterization of the p-i-n structure based on the InGaAsN/GaAs triple quantum well. Three DLTS evaluation methods were used for evaluation of the measured DLTS spectra. The results of all evaluation methods are
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/83e2a225f8914fdcb46cd7cf8f0fd396
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.