Zobrazeno 1 - 10
of 60
pro vyhledávání: '"Schwartzberg, AM"'
Autor:
Kastl, C, Chen, CT, Koch, RJ, Schuler, B, Kuykendall, TR, Bostwick, A, Jozwiak, C, Seyller, T, Rotenberg, E, Weber-Bargioni, A, Aloni, S, Schwartzberg, AM
Publikováno v:
2D Materials, vol 5, iss 4
Van der Waals epitaxy enables the integration of 2D transition metal dichalcogenides with other layered materials to form heterostructures with atomically sharp interfaces. However, the ability to fully utilize and understand these materials using su
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::239c4c3681ec6fa2bb69156b78bbe512
https://escholarship.org/uc/item/0gx895x0
https://escholarship.org/uc/item/0gx895x0
Publikováno v:
ACS Earth and Space Chemistry, vol 1, iss 4
Soltis, JA; Schwartzberg, AM; Zarzycki, P; Penn, RL; Rosso, KM; & Gilbert, B. (2017). Electron Mobility and Trapping in Ferrihydrite Nanoparticles. ACS Earth and Space Chemistry, 1(4), 216-226. doi: 10.1021/acsearthspacechem.7b00030. Lawrence Berkeley National Laboratory: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/537967ff
Soltis, JA; Schwartzberg, AM; Zarzycki, P; Penn, RL; Rosso, KM; & Gilbert, B. (2017). Electron Mobility and Trapping in Ferrihydrite Nanoparticles. ACS Earth and Space Chemistry, 1(4), 216-226. doi: 10.1021/acsearthspacechem.7b00030. Lawrence Berkeley National Laboratory: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/537967ff
© 2017 American Chemical Society. Iron is the most abundant transition metal in the Earth's crust, and naturally occurring iron oxide minerals play a commanding role in environmental redox reactions. Although iron oxide redox reactions are well-stud
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::13b120de5138363446292d29995e6e2f
https://escholarship.org/uc/item/537967ff
https://escholarship.org/uc/item/537967ff
Autor:
Kastl, C, Chen, CT, Kuykendall, T, Shevitski, B, Darlington, TP, Borys, NJ, Krayev, A, Schuck, PJ, Aloni, S, Schwartzberg, AM
Publikováno v:
2D Materials, vol 4, iss 2
Kastl, C; Chen, CT; Kuykendall, T; Shevitski, B; Darlington, TP; Borys, NJ; et al.(2017). The important role of water in growth of monolayer transition metal dichalcogenides. 2D Materials, 4(2), 021024-021024. doi: 10.1088/2053-1583/aa5f4d. Lawrence Berkeley National Laboratory: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/26k2f7sh
Kastl, C; Chen, CT; Kuykendall, T; Shevitski, B; Darlington, TP; Borys, NJ; et al.(2017). The important role of water in growth of monolayer transition metal dichalcogenides. 2D Materials, 4(2), 021024-021024. doi: 10.1088/2053-1583/aa5f4d. Lawrence Berkeley National Laboratory: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/26k2f7sh
© 2017 IOP Publishing Ltd. 2D transition metal dichalcogenides (TMDs) are commonly grown by chemical vapor deposition using transition metal oxides as solid precursors. Despite the widespread use of this technique, challenges in reproducibility, cov
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::0adbec802b485d188bf4fdff3ce92311
https://escholarship.org/uc/item/26k2f7sh
https://escholarship.org/uc/item/26k2f7sh
Publikováno v:
Physical Review Applied, vol 7, iss 1
Heyman, JN; Schwartzberg, AM; Yu, KM; Luce, AV; Dubon, OD; Kuang, YJ; et al.(2017). Carrier Lifetimes in a III-V-N Intermediate-Band Semiconductor. Physical Review Applied, 7(1). doi: 10.1103/PhysRevApplied.7.014016. Lawrence Berkeley National Laboratory: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/56c9n94x
Heyman, JN; Schwartzberg, AM; Yu, KM; Luce, AV; Dubon, OD; Kuang, YJ; et al.(2017). Carrier Lifetimes in a III-V-N Intermediate-Band Semiconductor. Physical Review Applied, 7(1). doi: 10.1103/PhysRevApplied.7.014016. Lawrence Berkeley National Laboratory: Retrieved from: http://www.escholarship.org/uc/item/56c9n94x
© 2017 American Physical Society. We use transient absorption spectroscopy to measure carrier lifetimes in the multiband semiconductor GaPyAs1-x-yNx. These measurements probe the electron populations in the conduction band, intermediate band, and va
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::640b971a9f7929301b8d2b4e00b96c44
https://escholarship.org/uc/item/56c9n94x
https://escholarship.org/uc/item/56c9n94x
Autor:
Thierry , Francois, Le Rouzo , Judikaël, Flory , Francois, Berginc , Gerard, Escoubas , Ludovic, Cabrini , S, Lerondel , G, Schwartzberg , AM, Mokari , T
Publikováno v:
Nanophotonic Materials Xi
Nanophotonic Materials Xi, 2014, 9161, 〈10.1117/12.2061042〉
Nanophotonic Materials Xi, 2014, 9161, ⟨10.1117/12.2061042⟩
Nanophotonic Materials Xi, 2014, 9161, 〈10.1117/12.2061042〉
Nanophotonic Materials Xi, 2014, 9161, ⟨10.1117/12.2061042⟩
We present an improved and efficient numerical method to determine the optical properties of nanostructures starting from the electronic properties. We study the variation of electronic and optical properties induced by confinement effects in semicon
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::77c5358489b91f312467b63f09532236
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01810795
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01810795
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.