Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"Schupp, Felix"'
Autor:
Kelly, Eoin G., Orekhov, Alexei, Hendrickx, Nico, Mergenthaler, Matthias, Schupp, Felix, Paredes, Stephan, Eggli, Rafael S., Kuhlmann, Andreas V., Harvey-Collard, Patrick, Fuhrer, Andreas, Salis, Gian
In gate-based dispersive sensing, the response of a resonator attached to a quantum dot gate is detected by a reflected radio-frequency signal. This enables fast readout of spin qubits and tune up of arrays of quantum dots, but comes at the expense o
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.10473
Autor:
Schupp, Felix
For the last two decades research on grown nanowires has been motivated by their potential application as efficient transistors, sensors and building blocks of quantum information processing architectures. While these applications can benefit from qu
Externí odkaz:
https://ethos.bl.uk/OrderDetails.do?uin=uk.bl.ethos.748925
Autor:
Schupp, Felix J., Mirza, Muhammad M., MacLaren, Donald A., Briggs, G. Andrew D., Paul, Douglas J., Mol, Jan A.
Publikováno v:
Phys. Rev. B 98, 235428 (2018)
We investigate the low temperature transport in 8 nm diameter Si junctionless nanowire field effect transistors fabricated by top down techniques with a wrap-around gate and two different activated doping densities. First we extract the intrinsic gat
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1802.07013
Autor:
Schupp, Felix J.1 (AUTHOR) felix.schupp@materials.ox.ac.uk
Publikováno v:
Materials Science & Technology. May2017, Vol. 33 Issue 8, p944-962. 19p.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Mirza, Muhammad M., Schupp, Felix J., Mol, Jan A., MacLaren, Donald A., Briggs, G. Andrew D., Paul, Douglas J.
Publikováno v:
Scientific Reports
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-8 (2017)
Scientific Reports, Vol 7, Iss 1, Pp 1-8 (2017)
Junction-less nanowire transistors are being investigated to solve short channel effects\ud in future CMOS technology. Here we demonstrate 8 nm diameter silicon\ud nanowire junction-less transistors with metallic doping densities which demonstrate\ud
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=pmid_dedup__::4d6a9ed894fdcec4b76b8c733af52a10
http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:
http://ora.ox.ac.uk/objects/uuid:
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Physica Status Solidi (B); Jun2019, Vol. 256 Issue 6, pN.PAG-N.PAG, 1p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Massai L; IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland., Hetényi B; IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland., Mergenthaler M; IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland., Schupp FJ; IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland., Sommer L; IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland., Paredes S; IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland., Bedell SW; IBM Quantum, T.J. Watson Research Center, 1101 Kitchawan Road, Yorktown Heights, NY 10598 USA., Harvey-Collard P; IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland., Salis G; IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland., Fuhrer A; IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland., Hendrickx NW; IBM Research Europe - Zurich, Säumerstrasse 4, 8803 Rüschlikon, Switzerland.
Publikováno v:
Communications materials [Commun Mater] 2024; Vol. 5 (1), pp. 151. Date of Electronic Publication: 2024 Aug 14.