Zobrazeno 1 - 10 of 41 pro vyhledávání: '"Schulze, T. F."'
1
Report
Spin fluctuations, magnetic long-range order and Fermi surface gapping in NaxCoO2
Autor: Schulze, T. F., Bruehwiler, M., Haefliger, P. S., Kazakov, S. M., Niedermayer, Ch., Mattenberger, K., Karpinski, J., Batlogg, B.
In this study an extended low energy phase diagram for NaxCoO2 is experimentally established with emphasis on the high x range. It is based on systematic heat capacity studies on both polycrystalline and single crystalline samples and on uSR measurem
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/0808.1697
Zobrazit plný text záznamu
2
Report
Direct link between low temperature magnetism and high temperature sodium order in NaxCoO2
Autor: Schulze, T. F., Häfliger, P. S., Niedermayer, C., Mattenberger, K., Bubenhofer, S., Batlogg, B.
We prove the direct link between low temperature magnetism and high temperature sodium ordering in NaxCoO2 using the example of a heretofore unreported magnetic transition at 8 K which involves a weak ferromagnetic moment. The 8 K feature is characte
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/0707.1630
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Electrical transport mechanisms in a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells.
Autor: Schulze, T. F., Korte, L., Conrad, E., Schmidt, M., Rech, B.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan2010, Vol. 107 Issue 2, p023711-023724, 13p, 2 Diagrams, 2 Charts, 12 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Valence band offset in heterojunctions between crystalline silicon and amorphous silicon (sub)oxides (a-SiOx:H, 0 < x < 2)
Autor: Liebhaber, M., Mews, M., Schulze, T. F., Korte, L., Rech, B., Lips, Klaus
The heterojunction between amorphous silicon (sub)oxides (a-SiOx:H, 0 4 eV for the a-SiO2/c-Si interface, while the electronic quality of the heterointerface deteriorates. High-bandgap a-SiOx:H is therefore unsuitable for the hole contact in heteroju
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______4732::0569d1809b864f8ed4e272d5b10ba138
https://refubium.fu-berlin.de/handle/fub188/16801
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Valence band offset in heterojunctions between crystalline silicon and amorphous silicon (sub)oxides (a-SiOx:H,O < x <2).
Autor: Liebhaber, M., Mews, M., Schulze, T. F., Korte, L., Rech, B., Lips, K.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 1/19/2015, Vol. 106 Issue 3, p1-5, 5p, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje