Zobrazeno 1 - 10
of 31
pro vyhledávání: '"Schué, L."'
Autor:
Schué, L., Goudreault, F. A., Righi, A., Resende, G. C., Lefebvre, V., Godbout, E., Pimenta, M. A., Côté, M., Francoeur, S., Martel, R.
Black Phosphorus (BP) is unique among layered materials owing to its homonuclear lattice and strong structural anisotropy. While recent investigations on few layers BP have extensively explored the in-plane (a,c) anisotropy, much less attention has b
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2112.12617
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Prevost, H, Andrieux-Ledier, A, Dorval, N, Fossard, F, Mérot, J S, Schué, L, Plaud, A, Héripré, E, Barjon, J, Loiseau, A
Publikováno v:
2D Materials; Oct2020, Vol. 7 Issue 4, p1-10, 10p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
18th International Microscopy Congress
18th International Microscopy Congress, Sep 2014, PRAGUE, Czech Republic
18th International Microscopy Congress, Sep 2014, PRAGUE, Czech Republic
International audience; h-BN is a wide band gap semiconductor (6.4 eV), which can be synthesized, as graphite, its carbon analog, as bulk crystallites, nanotubes and layers. These structures meet a growing interest for deep UV LED and graphene engine
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ca5d642796e3c040ee85d28fe9e571ea
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01111569
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01111569
Autor:
Pierret, A., Schué, L., Fossard, F., Moldovan, S., Ersen, O., Ducastelle, F., BARJON, J., Loiseau, A.
Publikováno v:
18th International Microscopy Congress
18th International Microscopy Congress, Sep 2014, PRAGUE, Czech Republic
18th International Microscopy Congress, Sep 2014, PRAGUE, Czech Republic
International audience; Hexagonal boron nitride (h-BN) is a wide band gap semiconductor (6.4 eV), which can be synthesized, as graphite, its carbon analog, as bulk crystallites, nanotubes and layers. These structures meet a growing interest for deep
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::ae18844fad6bef4e89ba026f2d987962
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01111516
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01111516
Autor:
Pierret, A., Schué, L., Fossard, F., Moldovan, S., Ersen, O., Ducastelle, F., BARJON, J., Loiseau, A.
Publikováno v:
4rd International Workshop NPO2014
4rd International Workshop NPO2014, Jul 2014, JOENSUU, Finland
4rd International Workshop NPO2014, Jul 2014, JOENSUU, Finland
International audience; Hexagonal boron nitride (h-BN) is a wide band gap semiconductor (6.4 eV), which can be synthesized, as graphite, its carbon analog, as bulk crystallites, nanotubes and layers. These structures meet a growing interest for deep
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::babbee8603bdfbc4e610857bd31dccf2
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01111585
https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-01111585
Publikováno v:
Graphene 2014
Graphene 2014, May 2014, TOULOUSE, France
Graphene 2014, May 2014, TOULOUSE, France
International audience; h-BN is a wide band gap semiconductor (6.4 eV), which can be synthesized, as graphite, its carbon analog, as bulk crystallites, nanotubes and layers. These structures meet a growing interest for deep UV LED and graphene engine
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::52e4e54f908e736ab78d312f09cf12e2
https://hal.science/hal-01111539
https://hal.science/hal-01111539