Zobrazeno 1 - 10 of 257 pro vyhledávání: '"Schropp, R. E I"'
1
Akademický článek
Chemical sputtering by H2+ and H3+ ions during silicon deposition.
Autor: Landheer, K., Goedheer, W. J., Poulios, I., Schropp, R. E. I., Rath, J. K.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2016, Vol. 120 Issue 5, p1-11, 11p, 2 Diagrams, 3 Charts, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
The statistical shift of the chemical potential causing anomalous conductivity in hydrogenated microcrystalline silicon.
Autor: Lof, R. W., Schropp, R. E. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Oct2010, Vol. 108 Issue 6, p063714, 9p, 1 Black and White Photograph, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Exploring dark current voltage characteristics of micromorph silicon tandem cells with computer simulations.
Autor: Sturiale, A., Li, Hongbo T., Rath, J. K., Schropp, R. E. I., Rubinelli, F. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul2009, Vol. 106 Issue 1, p14502-14512, 10p, 3 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Infrared transient grating measurements of the dynamics of hydrogen local mode vibrations in amorphous silicon-germanium.
Autor: Jobson, K. W., Wells, J.-P. R., Schropp, R. E. I., Vinh, N. Q., Dijkhuis, J. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jan2008, Vol. 103 Issue 1, p013106, 5p, 1 Diagram, 4 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Understanding light trapping by light scattering textured back electrodes in thin film n-i-p-type silicon solar cells.
Autor: Franken, R. H., Stolk, R. L., Li, H., van der Werf, C. H. M., Rath, J. K., Schropp, R. E. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/2007, Vol. 102 Issue 1, p014503, 7p, 2 Charts, 8 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
A compact equivalent circuit for the dark current-voltage characteristics of nonideal solar cells.
Autor: Pallarès, J., Cabré, R., Marsal, L. F., Schropp, R. E. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/15/2006, Vol. 100 Issue 8, p084513, 5p, 1 Diagram, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Transport in tunneling recombination junctions: A combined computer simulation study.
Autor: Vukadinovic, M., Smole, F., Topič, M., Schropp, R. E. I., Rubinelli, F. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/15/2004, Vol. 96 Issue 12, p7289-7299, 11p, 1 Diagram, 4 Charts, 10 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Role of growth temperature and the presence of dopants in layer-by-layer plasma deposition of thin microcrystalline silicon (μc-Si:H) doped layers.
Autor: Gordijn, A., Rath, J. K., Schropp, R. E. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/15/2004, Vol. 95 Issue 12, p8290-8297, 8p, 2 Black and White Photographs, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Growth process and properties of silicon nitride deposited by hot-wire chemical vapor deposition.
Autor: Stannowski, B., Rath, J. K., Schropp, R. E. I.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 3/1/2003, Vol. 93 Issue 5, p2618, 8p, 1 Black and White Photograph, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje